用于高速數字通信系統的熱插拔電路設計的元件選擇方法

電路板將插入-48V背板中，所以要一個(gè)1.2V輸出和60A峰值負載或72W轉換器。和大多數電源制造商一樣，建議在電源的Vin(+)引腳和Vin(-)引腳之間加一個(gè)220μF電容器，輸入線(xiàn)電壓可以在-75V至-35V之間，制造商指定在60A負載時(shí)最大輸入電流為2.8A。另外你也可以自己計算該電流，最大輸入電流出現于負載功率最大且輸入電壓最小時(shí)，即

Input max=Pout max/(Vin min×η)

=72W/(36V×0.72)=2.8A

其中η是該線(xiàn)路和負載條件下的最差效率。

選擇MOSFET

根據要滿(mǎn)足的技術(shù)規范，ETSI ETS300 132-2(100V瞬時(shí)電壓持續100ms)或Bell Core Gr-513-CORE電信規范均可保證抵抗持續10ms -75V、持續10μs -100V和持續1μs -200V電涌。如果系統規范是承受100ms 100V電壓,則需選擇一個(gè)100V MOSFET，我們希望熱插拔MOSFET上的電壓降最小，同時(shí)使功率損失也最小。非故障條件下MOSFET的最大功率損失為：

P=Imax2×Rds(on)

如果考慮使用D2Pak封裝的NTB52N10，其額定值為100V BVDSS，則在Vgs=10V時(shí)最大Rds(on)為30mΩ。最大Pwr(on)損失

P=Ipk2×Rds(on)max=2.82×0.03=0.24W

短路時(shí)的安全性

負載短路時(shí)，全部Vin都加在MOSFET上。這是最糟糕的情況，電流只受MOSFET Rds(on)和熔斷絲電阻的限制。從控制器的技術(shù)規范出發(fā)，假定你正使用一個(gè)具有3μs傳播延時(shí)的控制器，用于響應故障并下拉MOSFET基準以維持模擬電流限制，則最壞情況下的電流為：

Ifaultworstcase=Vinmax/(Rds(on)+Rfuse)=75V/(0.030+0.035)=1,154A

當然，隨著(zhù)MOSFET溫度上升，其Rds(on)也將上升，最后從MOSFET曲線(xiàn)的線(xiàn)性區移到飽和區，MOSFET將自行限制到180A左右，短路時(shí)的功率為：

Pwrshortcircuit=Vinmax×Imax=75V×180A=13,500W

現在市場(chǎng)上有很多熱插拔控制器出售，請密切注意所選擇的電流驅動(dòng)控制器的速度和驅動(dòng)能力。Rsense電路斷路器限制電壓設為可接受的電大輸入電流，同時(shí)必須檢查短路情況下MOSFET的最差結溫，它必須低于最大額定操作結溫以確保設計安全可靠。