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SKAI驅動(dòng)系統研究
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時(shí)間：2010-12-14
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò )
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驅動(dòng)、保護和控制電路
三相逆變器所需的所有電氣功能如驅動(dòng)、保護和控制全部集成在系統的一塊印制電路板（PCB）上。該PCB上布置了控制器（數字信號處理器TMS320LF2406/2407 ）、隔離的門(mén)極驅動(dòng)和保護電路，以及為這些電子電路供電的電源。串口總線(xiàn)（CAN 總線(xiàn)）是控制器到外部的通信接口。該PCB安裝在模塊里并放置于開(kāi)關(guān)電源上部。到基片的內部電氣連接是通過(guò)短的彈簧壓接實(shí)現的，PCB和DBC基片之間連接也是采用這種方式。
SKAI模塊內部集成了過(guò)流保護、過(guò)溫保護、直流母線(xiàn)過(guò)壓保護以及輸入欠壓保護。
先進(jìn)的驅動(dòng)系統的例子
SKAI模塊不同型號的產(chǎn)品系列覆蓋了從42V~900V的直流電壓范圍。
A．采用MOSFET開(kāi)關(guān)器件的低電壓系統
這類(lèi)系統是為電池驅動(dòng)汽車(chē)或輕型混合動(dòng)力汽車(chē)設計的，這類(lèi)設備負載電流有效值在300A~700A的范圍內，主要取決于電池電壓和冷卻條件。根據電池電壓的不同，SKAI分別選用阻斷電壓為75V、100V或150V的最好的溝道MOSFET器件。將封裝相關(guān)的阻抗計算在內，MOSFET開(kāi)關(guān)器件的通態(tài)阻抗分別是：75V的為0.86 mΩ、100V的為1.14 mΩ、150V的為2.09 mΩ。
圖4，以di/dt = -7100 A/ms的速率關(guān)斷。負載電流為700A的器件的測試數據圖
圖4是MOSFET一個(gè)管腳的寄生電感的測試結果。測試時(shí)所施加的電流坡度為7100 A/μs，測到的峰值電壓ΔV 為 5.89 V，根據ΔV = L ·di/dt的關(guān)系式，可以得到L = 0.83 nH，這與仿真的結果0.9 nH相當吻合。
此系列模塊標配散熱器為槽形散熱片的水冷系統（50%水，50%甘醇）。其橢圓形的橫截面散熱性能更好，并能減少積灰污物。
帶MOSFET開(kāi)關(guān)器件的低壓SKAI模塊的尺寸為315mm x 115mm x 95mm，重3kg。表1列出了該低壓SKAI模塊的技術(shù)數據。
表1，低壓SKAI模塊的技術(shù)數據
B．采用IGBT為開(kāi)關(guān)器件的高壓系統
采用帶載流子軸向壽命控制技術(shù)的600V和1200V IGBT和續流二極管做開(kāi)關(guān)器件的SKAI模塊，定位于完全混合動(dòng)力汽車(chē)、燃料電池汽車(chē)以及工業(yè)領(lǐng)域的應用。600V和1200V型號的SKAI模塊技術(shù)數據參見(jiàn)表2。
表2，高壓SKAI模塊技術(shù)數據
由于金屬箔電容較高的紋波電流能力以及高溫時(shí)較長(cháng)的壽命，因此采用它作為直流存儲電容。250 kW的模塊體積僅為8.6L，設計非常緊湊。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/151199.htm
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