LDO應用電路

德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線(xiàn)性調節器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)轉向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存儲器(P30)。這個(gè)從J3 到 P30存儲器的轉變可以使系統在運行中消耗更小的總電流，因為P30 VCC電壓需求降低到了1.8伏。英特爾也推薦用一個(gè)LDO線(xiàn)性調節器來(lái)提供1.8伏的電壓基準。

　　TPS79918的特性

　　TPS79918 LDO在一個(gè)小的封裝內提供了外部電氣特性。它具有高(大于66dB)電源電壓抑制比(PSRR)、低噪聲、快起動(dòng)和極好的線(xiàn)荷載瞬態(tài)響應。在全負載時(shí)，它只消耗40μA的地電流。運行中不需要輸入電容。TPS79918是用一個(gè)很小的陶瓷輸出電容保持穩定的，用一個(gè)高級的BiCMOS制造過(guò)程在200mA全輸出負載的情況下得到一個(gè)110mV的壓差。

　　對于所有負載、線(xiàn)、過(guò)程和溫度變化，它的精密電壓參考和反饋回路達到2%的全精確度?？蛇x降噪電容的增加，提供了一個(gè)極低噪聲輸出電壓。它要求TJ從－ 40°C 到 +125°C，有三種封裝方式：ThinSOT-23, 晶圓級芯片封裝(WCSP), 以及 2×2 SON-6。三種封裝方式的不同在于大小和能量消耗。如果我們假設周?chē)鷾囟葹?0°C，三種封裝的能量消耗分別為142 mW, 156 mW,和 526 mW。這分別與最大連續負載電流119 mA, 130 mA, and 438 mA相符合。

　　圖1表明了TPS79918的內部結構圖。高電平有效的使能信號在輸入電壓高于欠壓鎖定(UVLO)門(mén)限時(shí)，將器件打開(kāi)。UVLO確保輸入電壓可以得到，輸入電壓提供了一個(gè)干凈的開(kāi)啟波形。IC保證電流限和熱關(guān)斷保護，以避免系統出問(wèn)題。內部的500 的電阻，以及一個(gè)在NR探頭上的外部的降噪電容，提供了一個(gè)RC濾波器以降低帶隙噪聲，這就導致了低噪聲輸出電壓?？靻㈤_(kāi)關(guān)最初使電阻短路，以便使開(kāi)啟時(shí)間加快到40-μs。在重負載使輸出電壓降低到一個(gè)輕負載的瞬間，由于有超調檢測電路，IC具有很好的瞬態(tài)響應。

　　英特爾StrataFlash嵌入式存儲器(P30)的要求

　　將現有的J3存儲器系統轉為到新的P30的存儲器，需要將現有的3.0V核心電壓降低到1.8 V。1.8V的核心電壓需要在±0.1V范圍之內調整，這可以通過(guò)TPS79918的2%的電壓允許偏差來(lái)保證。LDO很好的保證了由CE#和OE#的上升沿和下降沿所引起的負載瞬態(tài)量。

　　圖2表明甚至在從1到50mA的負載瞬態(tài)變化時(shí)，輸出電壓只降低了40 mV。這個(gè)性能滿(mǎn)足了P30存儲器輸入電壓的需求?？紤]到系統性能要求，英特爾的操作說(shuō)明書(shū)警告設計者既要考慮備份電流，又要考慮工作電流。圖3表明，不像有些LDO，TPS79918的低靜態(tài)電流在輸入電壓和負載電流變化的時(shí)候是常數。對于便攜式的產(chǎn)品，低靜態(tài)電流延長(cháng)了電池的使用壽命。

　　圖4表明TPS79918為P30存儲器模塊供電的簡(jiǎn)易。唯一的必要元件是LDO本身和它的輸出電容。輸入電容只有在3.0V的輸出電容并不是挨著(zhù)LDO的時(shí)候才會(huì )用到。降噪電容只有為噪聲敏感元件供電的時(shí)候才需要，因此，在這種產(chǎn)品中不需要降噪電容。

　　從表1中可以看到，英特爾為它的StrataFlash嵌入式存儲器(P30)特別了推薦TI LDO。這些LDO滿(mǎn)足新的P30存儲器的電氣和溫度需求。

　　結論

　　TI TPS79918 LDO與英特爾的下一代StrataFlash嵌入式存儲器(P30)很相配。三種封裝方式可以使設計者最好的確定其大小，而且LDO的電氣特性滿(mǎn)足系統需求，即低備份電流、瞬態(tài)響應、最大電流。