英飛凌推出專(zhuān)為工業(yè)應用而優(yōu)化的功率模塊
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在這種創(chuàng )新模塊設計中,IGBT芯片距基板緊固點(diǎn)更近,降低了基板與散熱器之間的熱阻?;谶@些特點(diǎn),與傳統模塊相比,能夠使內部雜散電感降低60%左右。減少雜散電感對于消除尖峰過(guò)電壓是非常重要的。獨特的布局大大改善了熱分布,實(shí)現了整個(gè)模塊系統的低熱阻性能。最高運行溫度從+125
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