Vishay發(fā)布新款QPL氮化鉭薄膜片式電阻

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出通過(guò)QPL MIL-PRF-55342測試的新款表面貼裝片式電阻---E/H (Ta₂N) QPL，保證可靠性達到100ppm的“M”級失效率。新的E/H (Ta₂N) QPL電阻使用耐潮的氮化鉭電阻膜技術(shù)制造，為國防和航天應用提供了增強的性能規格，包括0.1%的容差和25ppm/℃的TCR?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/138454.htm

　　E/H (Ta₂N) QPL電阻適用于國防和航天應用的控制系統，這些應用需要考慮在潮濕條件下工作或長(cháng)期的儲存問(wèn)題。器件的氮化鉭電阻膜可確保耐潮水平超過(guò)MIL-PRF-55342限值的50倍。

　　E/H (Ta₂N) Mil-PRF-55342薄膜電阻具有不到-25dB的極低噪聲和0.5ppm/V的電壓系數。電阻的卷繞式端接采用了一個(gè)粘性很強的粘合層，上面覆蓋的電鍍鎳柵層可適應+150℃的工作條件，對典型電阻的影響小于0.010?。

　　新電阻采用01至12的M55342外形尺寸，功率等級為50mW～1000mW，工作電壓為40V～200V，根據不同的容差，阻值范圍為49.9?～3.3M?。

　　E/H (Ta₂N) Mil-PRF-55342薄膜電容器現已量產(chǎn)，供貨周期為八周到十周。