飛思卡爾應用的射頻功率性能新標準

舊金山（MTT-S國際微波研討會(huì )）－2006年6月13日－飛思卡爾半導體（NYSE: FSL, FSL.B）日前宣布采用新開(kāi)發(fā)的高壓射頻功率技術(shù)，結合經(jīng)濟高效的創(chuàng )新超模壓塑料封裝，將其射頻功率解決方案擴展至工業(yè)、科學(xué)和醫療（ISM）市場(chǎng)。作為要求苛刻的蜂窩基礎設施市場(chǎng)的領(lǐng)導者，飛思卡爾推出了專(zhuān)為HF/VHF頻率間隔（10-450 MHz）和2.45 GHz ISM頻帶設計的晶體管，從而將其在技術(shù)和封裝方面的領(lǐng)導地位延伸到ISM市場(chǎng)。

50V VHV6 RF LDMOS技術(shù)（第6代高電壓射頻橫向擴散金屬氧化物半導體）的開(kāi)發(fā)促成了飛思卡爾的此次擴展。該技術(shù)在飛思卡爾廣為接受的28V LDMOS技術(shù)基礎上將工作電壓提高到50V，讓設計者能夠實(shí)現更高的功率，超過(guò)當前ISM市場(chǎng)上的產(chǎn)品的性能水平。此外，該設備還采用了超模壓塑料封裝，從而提供了最經(jīng)濟高效的ISM解決方案。

飛思卡爾副總裁兼射頻部門(mén)總經(jīng)理Gavin P. Woods表示：“飛思卡爾在蜂窩基礎設施射頻功率方面處于市場(chǎng)領(lǐng)導地位，同時(shí)還開(kāi)發(fā)出50V LDMOS技術(shù)，這就使我們具備了得天獨厚的優(yōu)勢，能夠憑借真正的創(chuàng )新產(chǎn)品，將領(lǐng)導地位擴展到ISM市場(chǎng)。此外，我們還在超模壓塑料封裝技術(shù)領(lǐng)域處于領(lǐng)導地位，這使我們的客戶(hù)能夠開(kāi)發(fā)最經(jīng)濟高效的ISM應用解決方案，比如等離子發(fā)生器和磁共振成像（MRI）系統?！?

提高性能
飛思卡爾提供的ISM旗艦產(chǎn)品為MRF6V2300NB，它是功率為300W的50V LDMOS晶體管，其工作頻率為450 MHz，采用TO-272-WB-4超模壓塑料封裝制造。該設備能夠產(chǎn)生27dB的可觀(guān)增益，效率高達68%。憑借該產(chǎn)品的這種出色性能，ISM系統的設計者可以消除增益級（gain stages），從而降低總系統成本，減少占用板卡面積。除了出類(lèi)拔萃的性能以外，該設備還具有極高的穩定性，其耐用容錯性能達到10:1 VSWR。

六款針對ISM的創(chuàng )新產(chǎn)品
飛思卡爾正在擴展其產(chǎn)品到兩個(gè)不同的ISM頻率市場(chǎng)：HF/VHF市場(chǎng)和2.45 GHz的ISM頻帶市場(chǎng)。為了達到10-450 MHz的HF/VHF頻率間隔要求，飛思卡爾提供了三種采用VHV6 50V LDMOS技術(shù)的晶體管。這些晶體管包括旗艦產(chǎn)品MRF6V2300NB、MRF6V2150NB（功率150W，效率69%， 增益25dB）及MRF6V2010NB（功率10W，效率68%，增益25dB）。對于2.45 GHz的ISM頻帶，飛思卡爾提供三種使用28V LDMOS技術(shù)的設備：MRF6P24190H（功率190W，效率46%，增益13dB）、MRF6S24190H（功率140W，效率46%，增益13dB）和MW6IC2420NB（二級20W，效率21%，增益21dB）。

產(chǎn)品供貨信息
上述所有六種ISM設備現在已經(jīng)提供樣品。另外，所有三種2.45 GHz的設備已經(jīng)投產(chǎn)。MRF6V2150NB計劃于2006年8月完全投產(chǎn)，而MRF6V2300NB和MRF6V2010NB則計劃于2006年第四季度完全投產(chǎn)。

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關(guān)于飛思卡爾半導體
飛思卡爾半導體(NYSE: FSL，FSL.B)是全球領(lǐng)先的半導體公司，為汽車(chē)、消費、工業(yè)、網(wǎng)絡(luò )和無(wú)線(xiàn)市場(chǎng)設計和生產(chǎn)嵌入式半導體產(chǎn)品，并于2004年7月公開(kāi)上市。公司總部位于德州奧斯汀，在全球30多個(gè)國家和地區擁有設計、研發(fā)、制造和銷(xiāo)售機構。飛思卡爾半導體是S&P 500â成員之一，也是全球最大的半導體公司之一，2005年的總銷(xiāo)售額達到58億美元。www.freescale.com