IDT推出全球首款針對高性能應用的壓電MEMS振蕩器

　　擁有模擬和數字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已推出全球首款針對高性能通信、消費、云和工業(yè)應用的 CrystalFree 壓電MEMS(pMEMS)LVDS / LVPECL 振蕩器。IDT 的新型振蕩器可在緊湊業(yè)界標準封裝中以遠低于 1 皮秒的相位抖動(dòng)運行，使其成為傳統六管腳晶體振蕩器(XO)的理想替代。

　　IDT 的 4M 系列高性能 LVDS / LVPECL 振蕩器利用 IDT 專(zhuān)利的 CrystalFree pMEMS 諧振器技術(shù)，讓 IDT 能夠迅速在出廠(chǎng)時(shí)編程所需的輸出頻率，無(wú)需微調昂貴的晶體。此外，由于pMEMS 的本征諧振頻率遠高于石英晶體，4M 振蕩器能夠以更低的成本實(shí)現更高的頻率而無(wú)需損耗關(guān)鍵性能。4M 系列是 IDT 廣泛 MEMS-based 器件組合的首款產(chǎn)品，將為客戶(hù)提供便利、精確和低抖動(dòng)的計時(shí)參考。

　　IDT 公司副總裁兼計時(shí)與同步部門(mén)總經(jīng)理 Fred Zust 表示：“作為計時(shí)領(lǐng)域的領(lǐng)導者，我們的客戶(hù)一直期望 IDT 的 pMEMS 技術(shù)能夠擴展至通信這樣的高性能應用，通信是 40 億美元頻率控制市場(chǎng)的重要細分市場(chǎng)。IDT 專(zhuān)利的 pMEMS 諧振器技術(shù)將壓電材料的強機電耦合與單晶硅的穩定性和低阻尼相結合，允許我們憑借無(wú)與倫比的性能和可靠性實(shí)現便利且具有成本效益的 XO 替代。這些產(chǎn)品與我們屢獲殊榮的固態(tài)振蕩器相得益彰，可提供完整的頻率控制產(chǎn)品組合，從而在不斷增加的細分市場(chǎng)中替代石英器件。”

　　IDT 的 4M 振蕩器可在 -40°C 至 85°C 的廣泛工業(yè)溫度范圍內以 ±50 ppm 的頻率精度運行。器件支持低壓差分信號(LVDS)和低電壓正發(fā)射極耦合邏輯(LVPECL)，頻率高達 625 MHz，可滿(mǎn)足大多數通信、網(wǎng)絡(luò )和高性能計算應用的嚴格要求。除了 7.0 x 5.0 mm(7050)尺寸，IDT 的 pMEMS 振蕩器還提供 5.0 x 3.2 mm(5032)小型標準塑料封裝，可節省成本并在高密度的應用領(lǐng)域將封裝尺寸降至最低。經(jīng)過(guò)設計，它們與傳統的 XO 管腳兼容，使其成為理想的升級替代解決方案。