移動(dòng)應用驅動(dòng)BSI加速發(fā)展

　　智能型手機、平板計算機等手持式裝置當道，且對于相機畫(huà)素規格要求愈來(lái)愈高，不但是畫(huà)素規格朝800萬(wàn)邁進(jìn)，預期2012年起1,200萬(wàn)畫(huà)素CIS將成為主流趨勢，CIS技術(shù)紛紛導入背照式(Backside Illumination;BSI)制程，Omnivision在臺積電產(chǎn)能紛轉進(jìn)BSI制程，Aptina也推出BSI制程CIS，美商應材(Applied Materials)也推Producer Optiva化學(xué)氣相沉積系統針對BSI制程市場(chǎng)。

　　BSI為背光照度技術(shù)，使用的技術(shù)原理與傳統Frontside Illumination(FSI)不同。BSI技術(shù)是讓CMOS影像傳感器有更進(jìn)一步的感亮度，在畫(huà)質(zhì)和色彩呈現上也更佳，有別于傳統FSI把彩色濾光膜(RGB)與微鏡頭(micro lens)鋪在金屬層上，且BSI的原理是把整個(gè)影像傳感器上下翻轉，并把彩色濾光膜和微鏡頭鋪在基板上，可克服傳統FSI原有削弱感亮度的問(wèn)題。

　　市調機構指出，2010年智能型手機會(huì )內建BSI傳感器比重為14%，預計到2014年將有4分之3的智能型手機會(huì )內建BSI傳感器。

　　目前許多晶圓廠(chǎng)正努力轉型至12吋晶圓，使每片晶圓生產(chǎn)雙倍數量的傳感器，以目前全球最大CIS供貨商O(píng)mnivision為例，在臺積電產(chǎn)能也紛紛轉進(jìn)BSI制程下，Aptina也推出1.1微米背照式BSI制程CIS。

　　半導體設備廠(chǎng)方面，美商應材在「Semicon Japan 2011」期間，也推出針對BSI影像傳感器市場(chǎng)的Applied Producer Optiva化學(xué)氣相沉積系統，內建特殊功能可沉積低溫的共形薄膜，可提升傳感器的低光效能，進(jìn)而提高良率且降低成本，主要應用于智能型手機、平板計算機和高階相機;應材內部預估，2014年前全球BSI影像傳感器需求將高達3億個(gè)。

　　應材指出，影像傳感器配備直接在光電二極管上的微透鏡，藉以提高每像素的集光能力，Producer Optiva系統在微透鏡上覆蓋一層堅固的透明薄膜，可減少反射現象與刮痕，保護鏡片不受環(huán)境破壞，且是能以低于攝氏200度的溫度達成大于95%共形沉積的系統。

　　此Producer Optiva化學(xué)氣相沉積系統也可針對3D芯片封裝，用來(lái)沉積硅穿孔(TSV)的共形絕緣膜。

　　CIS算是目前消費性電子產(chǎn)品中，最適合3D IC技術(shù)的應用，因為硅穿孔(TSV)技術(shù)可實(shí)現3D IC異質(zhì)整合的架構，符合產(chǎn)品尺寸愈來(lái)愈縮小化的需求。

　　目前有TSV技術(shù)的CIS業(yè)者包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)、臺積電、精材(Xintec)、豪威(OmniVision)、Aptina、意法半導體(STMicroelectronics)等，且都投入此技術(shù)已有多年。