Intersil集成化開(kāi)關(guān)穩壓器簡(jiǎn)化電源設計

　　(表1續)

　　采用集成化FET的設計實(shí)例

　　我們以圖1中的ISL8014為例進(jìn)行說(shuō)明。假定所要求的輸入為Vin=5V，輸出為Vo=1.8V，輸出電壓紋波小于18mV。設計步驟如下：

　　1. 確定開(kāi)關(guān)頻率Fs。正常的開(kāi)關(guān)頻率為1MHz，也可以通過(guò)同步提高開(kāi)關(guān)頻率，最高可達4MHz。為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，我們這里使用1MHz。

　　2. 計算電感L。其中ΔI是流過(guò)電感的峰-峰紋波電流，建議將ΔI設置為最大輸出電流的30%左右。ISL8014的最大輸出電流為4A，因此其ΔI=1.2A。

　　3. 確定輸出電容的等效串聯(lián)電阻阻值RESR。

　　4. 建議使用的最小輸出電容值為44μF。由于其RESR很低，陶瓷電容是一個(gè)不錯的選擇。每個(gè)采用0805封裝的22μF電容的RESR為5mΩ，因此可以選擇2 x 22 μF。

　　5. 根據如下公式計算反饋電阻分壓器，其中VFB為規格書(shū)規定的0.8V：

　　6. 輸入電容不太重要，C1可以定為2 x 22 μF。

　　7. 接下來(lái)是版圖。請參考ISL8014的規格書(shū)，該規格書(shū)可從網(wǎng)址www.intersil.com下載。

　　a) 將IC插在電路板上。

　　b) 將電感器插在與IC的LX節點(diǎn)相鄰之處。

　　c) 將C2插在與電感器L另外一端及IC的PGND管腳相鄰之處。

　　d) 將C1插在IC的VIN管腳旁邊。

　　e) 將R3插在SGND和VFB管腳旁邊。

　　f) 將R2和C3插在R3旁邊。

　　g) 在IC的電源焊盤(pán)之下打6個(gè)左右的過(guò)孔，以便散熱。

　　h) 打約4個(gè)過(guò)孔，以便將PGND分別與C1和C2連接。

　　i) 以PGND連線(xiàn)填充第二層。

　　j) ISL8014的版圖示例請見(jiàn)下圖。

　　結論

　　Intersil的集成化FET穩壓器擁有眾多的特性和功能選擇，使其更易于使用，在采用內置環(huán)路補償時(shí)，情況尤其如此。本文列出了在低輸入電壓應用中建議采用的輸出電感和電容，還討論了簡(jiǎn)潔的設計步驟和版圖設計。通過(guò)這些簡(jiǎn)單的步驟，大多數設計人員可以得到所需要的結果。對于采用外接補償的集成FET，其規格書(shū)中幾乎都會(huì )附有具體而詳細的分析。