SEZ彰顯DA VINCI平臺的雙面工藝功能

與領(lǐng)先的內存器件制造商協(xié)同努力，優(yōu)化了雙面模塊，
實(shí)現了同步的300-mm單晶圓正面和背面處理
者SEZ （瑟思）集團（瑞士股票交易市場(chǎng)SWX交易代碼：SEZN）宣布，其旗艦產(chǎn)品Da Vinci家族系列喜添新丁。旨在進(jìn)一步改善DRAM制造商擁有成本（CoO）的DV-38DS 產(chǎn)品以八個(gè)雙面處理模塊取代了SEZ 歷經(jīng)考驗的300-mm DV-38機臺中的八個(gè)標準反應室，從而確保了同步的、高產(chǎn)能的晶圓正面聚合物以及背面有機物/粒子的剝離。SEZ通過(guò)與全球領(lǐng)先的內存芯片制造商緊密合作，優(yōu)化了雙面功能，進(jìn)而在最初的工藝階段獲得了卓越的晶圓均一性。

在去離子水之后，通過(guò)對晶圓的雙面實(shí)施稀釋過(guò)氧化硫+（DSP+） 化學(xué)試劑，雙面模塊幫助客戶(hù)免去了執行多個(gè)單獨步驟的需求，或使用沉浸（批式工藝流程）設備的需求。事實(shí)上，通過(guò)在Da Vinci平臺上增加這一工藝功能，消除了延遲問(wèn)題，提供了堪與批式系統相媲美的功能，不管客戶(hù)的應用中是否需要，永遠能夠實(shí)現“自由的”背面清洗。

當前，隨著(zhù)存儲器件對清洗的需求日益緊迫，雙面清洗正逐步突顯其重要意義，然而，批式工具無(wú)法實(shí)現與SEZ單晶圓濕式旋轉處理水平相當的無(wú)損傷、高質(zhì)量的結果。一般而言，DRAM結構形成會(huì )導致一些需要更進(jìn)一步清洗的殘留物，特別是對于日益緊縮的器件幾何拓撲結構。使用一種酸性試劑解決方案同時(shí)處理正面和背面，諸如DSP+（不會(huì )產(chǎn)生與堿性的基于溶解的聚合物去除過(guò)程相同的清洗問(wèn)題），在滿(mǎn)足內存器件嚴格的交付窗口和高量產(chǎn)需求的同時(shí)，有效去除了這些殘留物。 

來(lái)自SEZ執行副總裁兼首席執行官Kurt Lackenbucher 的評論表明，若干因素促進(jìn)了我們在產(chǎn)品功能集合中增加這一重要的新功能。Lackenbucher 表示：“我們的Da Vinci工具實(shí)現了批式水平的產(chǎn)能，而且更好、更徹底、不存在受損線(xiàn)路，因此，在Da Vinci平臺中增加這一功能就是一個(gè)自然的發(fā)展?！彼M(jìn)一步強調說(shuō)：“新功能同時(shí)也表明了我們在諸如DSP+等先進(jìn)化學(xué)試劑應用的廣泛經(jīng)驗，有效降低了量產(chǎn)DRAM制造的CoO。更重要的是，它是我們致力于與客戶(hù)保持緊密的合作伙伴關(guān)系的有力佐證。這些歷經(jīng)市場(chǎng)考驗的努力是公司承諾的核心組成部分，賦予了客戶(hù)有機平衡新技術(shù)的能力，如SEZ Da Vinci平臺的雙面模塊?！?

 
SEZ 掀開(kāi)DA VINCI平臺雙面模塊的神秘面紗…………………………………………..Page 2 of 2
    
SEZ的 Da Vinci 系列是業(yè)界首個(gè)單晶圓濕式處理解決方案，面向90-nm以及更小技術(shù)標準制造過(guò)程中高量產(chǎn)的聚合物去除以及背面蝕刻和清洗。通過(guò)與關(guān)鍵客戶(hù)的緊密協(xié)作開(kāi)發(fā)，Da Vinci 工具旨在幫助芯片制造商們滿(mǎn)足他們在超深亞微米時(shí)代的CoO和及時(shí)面市目標。單晶圓平臺配備了面向200-mm和300-mm晶圓制造的隨機攜帶的化學(xué)試劑、一個(gè)先進(jìn)的用戶(hù)界面以及一套先進(jìn)的系統。

Da Vinci 平臺誕生于2003年，已經(jīng)實(shí)現了SEZ集團有史以來(lái)最快的市場(chǎng)接受速度，同時(shí)也是設備行業(yè)最快被引進(jìn)的產(chǎn)品之一。目前，Da Vinci系統的銷(xiāo)售收入已經(jīng)占到SEZ設備總收入的60%。迅速的部署促進(jìn)了存儲器件細分市場(chǎng)由批式處理應用向單晶圓濕式清洗技術(shù)應用的變遷。更為重要的是，大型的存儲芯片供應商已經(jīng)完成了這一轉換,為存儲細分市場(chǎng)在更多的前段工藝過(guò)程（FEOL）率先采用單晶圓解決方案提供了重要的動(dòng)力。