科銳商用無(wú)線(xiàn)射頻的發(fā)貨量已突破10兆瓦

        科銳公司（Nasdaq: CREE）日前宣布，截至2011 年 4 月，公司的無(wú)線(xiàn)射頻（RF）業(yè)務(wù)部門(mén)已出貨的商用碳化硅襯底氮化鎵 (GaN-on-SiC) RF 功率晶體管和 MMIC 產(chǎn)品的合計 RF 輸出功率已突破 10 兆瓦。這一里程碑式成果充分說(shuō)明了科銳的氮化鎵HEMT 和氮化鎵 MMIC 技術(shù)擁有高兼容性、可靠性和業(yè)經(jīng)證明的優(yōu)異性能。這 10 兆瓦中只包括商用 RF 產(chǎn)品，不包含氮化鎵 MMIC 晶圓代工業(yè)務(wù)的 1.5 兆瓦出貨量。

        在實(shí)現里程碑式出貨量的同時(shí)，科銳還保持著(zhù)每10億器件小時(shí)內低于10次的超低計次失效率 (FIT率)，這比其它 RF 功率晶體管技術(shù)的標準計次失效率（ FIT 率）低 80%。

        科銳公司 無(wú)線(xiàn)射頻（RF）總監 Jim Milligan 表示：“我們的碳化硅襯底氮化鎵器件累計實(shí)地工作時(shí)間已經(jīng)超過(guò) 14 億小時(shí)，其可靠性超過(guò)其它高壓硅技術(shù)或者砷化鎵技術(shù)，是目前為止國內氮化鎵器件供應商已知的累計現場(chǎng)數據中的最大值，其中不僅包含分立晶體管，還包含復雜的多級氮化鎵 MMIC。這10兆瓦里程碑式的出貨量充分證明了科銳的氮化鎵技術(shù)已被迅速廣泛采用，涉及領(lǐng)域不僅包括軍事應用，還包括電信基站、寬帶測試設備、民用雷達和醫療應用等。如果我們以現在的速度繼續向這些新的細分市場(chǎng)擴張， 2011年底我們的出貨量有望在 10 兆瓦的基礎上再翻一番。”

        作為美國最大的碳化硅襯底氮化鎵 RF 晶圓處理技術(shù)的生產(chǎn)商，科銳已經(jīng)開(kāi)發(fā)出品類(lèi)豐富全面的氮化鎵 HEMT 和氮化鎵 MMIC 產(chǎn)品，旨在滿(mǎn)足數量不斷增加的 RF 陣列和微波應用對寬波段、高效率和高可靠性的要求。

        25 年來(lái)，科銳不斷將創(chuàng )造性、突破性的創(chuàng )新成果帶到半導體行業(yè)，從最早的藍光 LED，到全球首款碳化硅 MOSFET，再到業(yè)界第一個(gè)碳化硅襯底氮化鎵 MMIC 的問(wèn)世，科銳一直奮戰于技術(shù)的最前沿。