惠普開(kāi)發(fā)記憶電阻器項目取得進(jìn)展

　　據國外媒體報道，惠普科學(xué)家在開(kāi)發(fā)名為“memristors”(記憶電阻器)的下一代內存技術(shù)方面取得了小的突破。一些人認為，這種技術(shù)有可能取代目前廣泛應用的閃存和DRAM內存技術(shù)。惠普科學(xué)家本周一在《納米技術(shù)》雜志上發(fā)表的論文中稱(chēng)，他們已經(jīng)描繪出記憶電阻器在電子運行期間內部發(fā)生的情況的基本化學(xué)性質(zhì)和結構。

　　惠普高級研究員斯坦·威廉斯(Stan Williams)稱(chēng)，以前，雖然可工作的記憶電阻器已經(jīng)在實(shí)驗室中制作成功，但是，科學(xué)家還不確切地知道這個(gè)微小的結構中在發(fā)生什么事情。但是，惠普有信心實(shí)現這個(gè)技術(shù)的商品化，這個(gè)新發(fā)現能夠讓惠普顯著(zhù)改善它的性能。

　　記憶電阻器是加州大學(xué)伯克利分校的一位教授在1971年首次闡明的。在此之前，科學(xué)家僅知道三個(gè)基本電路元件：電阻器、電容器和電感器。蔡少棠(Leon Chua)教授把記憶電阻器稱(chēng)作第四個(gè)元件。

　　幾十年后，惠普科學(xué)家證明記憶電阻器是存在的，并且證明他們能夠讓記憶電阻器在兩個(gè)或者更多的電阻級別上來(lái)回交換，這就使它們能夠代表數字計算中的1和0。威廉斯表示，他個(gè)人預計惠普的記憶電阻器技術(shù)將在2013年年中開(kāi)始商業(yè)性提供。不過(guò)，威廉斯稱(chēng)，這不是惠普公司的官方承諾。