混合動(dòng)力汽車(chē)挑戰電源芯片與功率器件

　　為了滿(mǎn)足電池和功率管理、以及相關(guān)的DC/DC轉換器的要求，IR的HEV方案系列也包括了具備非常低EMI和優(yōu)化了的開(kāi)關(guān)性能的驅動(dòng)器及開(kāi)關(guān)。例如最新的DirectFET MOSFET產(chǎn)品便完全不用鍵合線(xiàn)，并且因為消除了大部分的寄生電感，以及具備最小的封裝電阻，所以能夠提供最佳的開(kāi)關(guān)性能。除了領(lǐng)先行業(yè)的低導通電阻、卓越的開(kāi)關(guān)性能和增強了的溫度能效(例如雙側散熱)，這款十分先進(jìn)的無(wú)鍵合線(xiàn)芯片尺寸封裝讓設計的體積顯著(zhù)減小，特別適用于高功率要求或者如HEV DC/DC轉換器這些快速開(kāi)關(guān)應用。

　　Allegro MicroSystems公司具有故障診斷和報告功能的全橋式MOSFET預驅動(dòng)器A4940，采用超小型封裝，提供靈活的輸入接口、自舉監控電路、寬泛的工作電壓(5.5至50V)和溫度(40℃至+150℃)范圍。該器件特別針對使用大功率電感負載(如：直流電刷電動(dòng)機)的汽車(chē)應用而設計。

　　壓電噴射或高強度照明等其它應用需要100V到200V的功率器件和驅動(dòng)器。而點(diǎn)火IGBT和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)在使用300V到1,000V以上的IGBT。飛兆半導體公司的柵極驅動(dòng)器FAN7080x系列，讓工程師開(kāi)發(fā)出在所有操作條件下更準確、精密的燃油噴射控制系統，從而提高燃油效率。這些柵極驅動(dòng)器在高側和橋驅動(dòng)器應用中驅動(dòng)MOSFET和IGBT，如直接燃油噴射系統和電機控制。與市場(chǎng)上同類(lèi)器件相比，它們的靜態(tài)功耗減少一半以上(靜態(tài)電流100μA對比240μA)，容許設計人員優(yōu)化系統和擴大工作范圍。

　　絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率MOSFET作為混合動(dòng)力汽車(chē)的核心技術(shù)，吸引功率半導體廠(chǎng)商紛紛瞄準這個(gè)龐大的市場(chǎng)。ISuppli曾預測汽車(chē)IGBT市場(chǎng)有望以17.2%的年復合增長(cháng)率高速發(fā)展，位居汽車(chē)電源管理器件之首，MOSFET市場(chǎng)增長(cháng)居其次。雖然在未來(lái)幾年中混合動(dòng)力車(chē)輛還將只是占據車(chē)輛市場(chǎng)的一小部分，但混合動(dòng)力對逆變器和DC/DC的集中需求將形成市場(chǎng)對IGBT和功率MOSFET的巨大需要。