美國國家半導體推出全新10 Gbps 中繼器

　　美國國家半導體公司(National Semiconductor Corp.)宣布推出三款多通道PowerWise10Gbps中繼器。
　　
         其特點(diǎn)是均衡增益高達36dB，優(yōu)于所有競爭產(chǎn)品，而且每通道功耗只有55mW，僅為目前市場(chǎng)上其他解決方案的一半。

　　此外，電纜長(cháng)度也可延長(cháng)一倍(以24-AWG 電纜為例，傳送距離可長(cháng)達20米)。

　　這幾款中繼器的推出將進(jìn)一步鞏固美國國家半導體在高性能模擬技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。

　　美國國家半導體的10Gbps中繼器系列采用該公司的第三代SiGe雙極CMOS工藝技術(shù)制造，具有接收均衡和發(fā)送去加重功能，可為數據中心及高性能通信系統提供通道損耗補償，因此，該系列中繼器芯片可以延長(cháng)電纜的傳送距離，并將數據帶寬提高至10.3125Gbps，

　　因此適用于符合10 GbE、Fibre Channel、XAUI、CPRI 和 Infiniband 等串行傳輸協(xié)議的高速有源電纜組件及FR-4 背板。

　　此外，這幾款中繼器也可支持存儲系統的SAS/SATA頻帶外(OOB)信號傳輸功能。

　　由于互聯(lián)網(wǎng)涌現大量的多媒體內容，加上云計算及多核虛擬服務(wù)器的出現，令新一代數據中心系統對接口帶寬的要求越趨嚴格。>但互連線(xiàn)路的長(cháng)度沒(méi)變，這令功耗及信號完整性成為一個(gè)有待解決的問(wèn)題。

　　有源銅線(xiàn)電纜組件及背板只要內置美國國家半導體的信號調節器便可確保信號完整性，降低系統功耗，相對于光纖電纜方案，大幅降低互連成本。

　　美國國家半導體10Gbps中繼器令有源銅導線(xiàn)互連方案的功耗僅為市場(chǎng)上其他電纜方案的四分一，而電纜傳送距離則可延長(cháng)兩倍。

　　美國國家半導體新款中繼器能夠有這樣的優(yōu)勢，是因為該系列芯片采用全新的SiGe雙極CMOS工藝制造，可以支持較高的帶寬并產(chǎn)生較少噪聲，讓信號抖動(dòng)和功耗大幅減少。4通道的DS100BR410芯片適用于高密度的連接器如QSFP和CXP，而DS100BR111芯片則適用于單通道的SFP+連接器。

　　美國國家半導體10 Gbps 中繼器系列

　　DS100BR410 芯片內含四條單向通道，每通道功耗僅為55mW(典型值)，且只需一個(gè)2.5V的電源供電。

　　此外，通過(guò)每通道上的接收均衡功能(可將信號增強36dB)和發(fā)送去加重功能(可將信號減弱9dB)，該芯片可以補償通道損耗，延長(cháng)電纜的傳送距離，這令工程師在為系統布線(xiàn)時(shí)具有更大靈活性。

　　DS100BR210 芯片內含兩條單向通道，DS100BR111 芯片則包含一條雙向通路(一條為發(fā)送通道，另一條則為接收通道)，每一通道的功耗都僅為65mW(典型值)，這兩款芯片都可采用3.3V 及 2.5V的電源供電。

　　兩款芯片均具備增益高達36dB的接收均衡功能和-12dB 的發(fā)送去加重功能。

　　以上三款中繼器均可關(guān)斷空閑通道，并可通過(guò)引腳或I2C兼容的SMBus接口設置信號調節值。