飛兆半導體開(kāi)發(fā)出高性能柵極驅動(dòng)光耦合器產(chǎn)品

　　為了滿(mǎn)足全球各地的能效標準要求，太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達驅動(dòng)等工業(yè)應用的設計人員需要具備更低功耗和更快開(kāi)關(guān)速度的性能更高的柵極驅動(dòng)光耦合器。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開(kāi)發(fā)出一款輸出電流為3A的高速MOSFET/IGBT柵極驅動(dòng)光耦合器產(chǎn)品FOD3184。該器件適用于工作頻率高達250kHz的功率MOSFET和IGBT的高頻驅動(dòng)，相比常用的FOD3120柵極驅動(dòng)器，新器件的傳輸遲延時(shí)間縮短了50%，功耗降低了13%。

　　FOD3184由鋁砷化鎵(AIGaAs)發(fā)光二極管和集成在電路功率級中帶有PMOS和 NMOS輸出功率晶體管的CMOS檢測器以光學(xué)方式耦合構成，PMOS上拉晶體管具有低 RDS(ON)，能夠降低內部功耗和提供接近軌對軌輸出電壓擺幅能力。該器件具有高抗噪能力，最低共模噪聲抑制比(CMR)為35kV/µs，適合嘈雜的工業(yè)應用。

　　FOD3184還具有15V至30V寬VCC工作電壓范圍 、3A最大峰值輸出電流，并確保-40ºC至+100ºC的工作溫度范圍。還具有專(zhuān)為驅動(dòng)IGBT而優(yōu)化的帶有遲滯作用的欠壓鎖定(UVLO)保護功能。

　　FOD3184采用8腳雙列直插封裝，提供>8.0mm的爬電距離(creepage)和電氣間隙，可配合安全機構至關(guān)重要的終端應用要求。此外，封裝符合無(wú)鉛焊接標準對260ºC回流焊工藝的要求，FOD3184具有1,414V的額定工作電壓(VIORM)，能夠驅動(dòng)1,200V負載，并保持長(cháng)期可靠的隔離性能。

　　FOD3184是飛兆半導體提供同級最佳抗噪能力、更快開(kāi)關(guān)速度和更高功效的全面廣泛的高性能光耦合器產(chǎn)品系列的成員。飛兆半導體將開(kāi)發(fā)更多同類(lèi)型解決方案，以推動(dòng)工程師的設計創(chuàng )新。