硅基MEMS制造技術(shù)分析

　　由圖4可見(jiàn)，中國權利人/申請人大多選擇在國內進(jìn)行專(zhuān)利布局，而發(fā)達國家的布局和相對的比例與在美國的專(zhuān)利布局形式?jīng)]有太大區別。需要特別說(shuō)明的是，日本權利人/申請人的專(zhuān)利含金量最高，不僅已公開(kāi)的專(zhuān)利申請全部為發(fā)明專(zhuān)利，且發(fā)明專(zhuān)利獲得授權的比例在所有國家中最高。

　　在華擁有最多MEMS技術(shù)相關(guān)專(zhuān)利的權利人/申請人主要為國內科研機構與大專(zhuān)院校。排名前三的分別為上海交大、清華大學(xué)與北京大學(xué)。與前述國別分布相對應的是，只有IBM與三星兩家國外企業(yè)進(jìn)入前十。

　　從國內省市中領(lǐng)先的專(zhuān)利權人來(lái)看，我國在多種微型傳感器、微型執行器和若干微系統樣機等方面已有一定的基礎和技術(shù)儲備，初步形成了幾個(gè)MEMS研究力量比較集中的地區。以上海北京兩大研發(fā)基地為領(lǐng)頭，上海交大、上海微系統所以及北大清華成為各自的科研代表。

　　外企在中國專(zhuān)利布局未形成

　　通過(guò)硅基MEMS制造技術(shù)領(lǐng)域中美兩國專(zhuān)利情況比對分析，可以得出以下結論：

　　一、美國專(zhuān)利數量遠多于中國專(zhuān)利，國外技術(shù)研發(fā)水平大幅領(lǐng)先。經(jīng)過(guò)對比可知，硅基MEMS制造技術(shù)領(lǐng)域美國專(zhuān)利數量遠多于中國。其中，美國授權專(zhuān)利數量達4411件，公開(kāi)專(zhuān)利申請總量達6648件。而該領(lǐng)域已公開(kāi)中國專(zhuān)利申請總量為1799件，其中發(fā)明專(zhuān)利為1659件，實(shí)用新型為140件。已獲得授權的發(fā)明專(zhuān)利數量為704件。

　　通過(guò)專(zhuān)利量年度分布可看出，近年美國授權專(zhuān)利以及專(zhuān)利申請量趨于平穩，表明該領(lǐng)域已從創(chuàng )新活躍階段逐步變?yōu)槌墒彀l(fā)展階段。中國專(zhuān)利量持續上揚，說(shuō)明國內在該領(lǐng)域的研發(fā)逐步活躍，但趕上國外先進(jìn)水平尚需時(shí)日。

　　二、專(zhuān)利集中度較高，國外產(chǎn)業(yè)化程度明顯高于國內。該領(lǐng)域美國專(zhuān)利主要集中在美國、日本和韓國的大公司，而國內尚無(wú)公司占據一席之地。在美國的專(zhuān)利權人/申請人排名前幾位的皆為商業(yè)化運作較為成功的公司，如Honeywell、英特爾、三星等，而國內專(zhuān)利權人/申請人排名前幾位的基本都為高校和科研院所，排名靠前的企業(yè)都是國外企業(yè)。相較于國內重研究輕產(chǎn)業(yè)化的運作模式，國外更重視技術(shù)研發(fā)后的產(chǎn)業(yè)化推廣和應用。因此，國內企業(yè)應當重點(diǎn)關(guān)注專(zhuān)利技術(shù)成果的商業(yè)轉化，避免被國外企業(yè)搶占技術(shù)制高點(diǎn)，繼而受制于人。

　　(三)國外企業(yè)在中國的專(zhuān)利布局尚未形成，中國企業(yè)應積極部署有針對性的專(zhuān)利。通過(guò)分析，國外企業(yè)在國內申請專(zhuān)利數量較少，排名靠前的僅有美國IBM公司和韓國三星公司，整體專(zhuān)利布局尚未形成。而國內企業(yè)在專(zhuān)利總量上遠超國外企業(yè)，國內企業(yè)應趁此機遇加快研發(fā)進(jìn)度，申請更多有針對性的專(zhuān)利，并在海外積極申請重要專(zhuān)利，逐步打破該領(lǐng)域的國外技術(shù)壁壘。