恩智浦的150MHzLPC1800MCU具有業(yè)界最高的ARM Cortex-M3性能

　　恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI)今天宣布推出業(yè)界最高性能的ARM® Cortex™-M3微控制器。LPC1800的低功耗優(yōu)化設計使其在極低頻率到150Mhz范圍內最大發(fā)揮Flash或RAM的性能。此性能為大量要求嚴苛的應用提供了最大的連接和帶寬選擇。靈活的雙單元256位寬Flash存儲器支持并行讀、寫(xiě)操作，可保存“黃金副本”，防止重新編程中出現失誤，也可以簡(jiǎn)單地作為單存儲單元使用。LPC1800也支持兩種最新外設：靈活四路SPI接口和可配置定時(shí)器子系統。

　　恩智浦半導體副總裁、微控制器產(chǎn)品線(xiàn)總經(jīng)理Geoff Lees表示，“LPC1800為ARM Cortex-M3微控制器樹(shù)立了新的性能標桿。恩智浦在可靠的高性能存儲器架構和系統外設上的不斷創(chuàng )新，造就了與眾不同的LPC1800。”

　　恩智浦90nm工藝帶來(lái)低功耗高性能的大容量存儲器

　　LPC1800采用恩智浦的超低漏電流90nm工藝技術(shù)設計，具有運行速度更快、動(dòng)態(tài)功耗更低的特點(diǎn)，獨有的低漏電流優(yōu)化將待機模式下的漏電流降低10至100倍。LPC1800為Cortex-M3提供業(yè)界最大的片內SRAM，多單元最高可達200KB，每個(gè)單元都有獨立總線(xiàn)訪(fǎng)問(wèn)，具有更高吞吐量，可分別進(jìn)行關(guān)斷控制進(jìn)入低功耗工作模式。雙單元1MB Flash架構提供最可靠的應用中重新編程，支持無(wú)停頓的Flash操作。

　　無(wú)縫高速四路SPI接口和可配置定時(shí)器子系統

　　利用四路SPI架構在新型串行Flash存儲器中迅速采用的優(yōu)勢，恩智浦首次推出無(wú)縫高速接口，可與幾乎所有SPI和四路SPI廠(chǎng)商實(shí)現連接。高速接口與四通道SPI存儲器連接時(shí)，每個(gè)通道的速率可達80 Mbps，其片外數據和代碼執行速度遠遠高出片內存儲器。

　　LPC1800可配置定時(shí)器子系統包括帶狀態(tài)機的定時(shí)器陣列，支持多種復雜功能，包括事件控制的PWM波形生成、ADC同步和死區時(shí)間控制。此定時(shí)器子系統為嵌入式設計者增加了靈活性，能為電源轉換、照明和電機應用等的多種應用創(chuàng )建用戶(hù)定義的波形和控制信號。

　　LPC1800的其他外設包括兩個(gè)HS USB控制器、片內HS PHY、支持硬件TCP/IP校驗和計算的10/100T以太網(wǎng)控制器、高分辨率彩色LCD控制器和AES解密算法(其中包含兩個(gè)用于存儲密鑰的128位安全OTP存儲器)。AES加密算法的不同版本可按需提供。

　　LPC1800標準特性

　　該系列所有產(chǎn)品的標準特性包括含有啟動(dòng)代碼和片內軟件驅動(dòng)的32 KB ROM、8通道通用DMA (GPDMA)控制器，兩個(gè)10位模數轉換器和一個(gè)10位數模轉換器(轉換采樣速率為400k/s)、馬達控制PWM和正交編碼器接口、4個(gè)UART、2個(gè)快速模式I2C、I2S、2個(gè)SSP/SPI、智能卡接口、4個(gè)定時(shí)器、窗口看門(mén)狗定時(shí)器、報警定時(shí)器、具有256字節電池供電備份寄存器的超低功耗RTC以及最多80個(gè)通用I/O引腳。