新日本無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)完成高隔離度SPDT開(kāi)關(guān)GaAs MMIC NJG1666MD7

　　【開(kāi)發(fā)背景】

　　近年來(lái)，隨著(zhù)裝載有FM和1seg等多數調諧器的設備的增加，市場(chǎng)需求用于分離接收信號的具有高隔離度的SPDT開(kāi)關(guān)。為了適應市場(chǎng)的要求，新日本無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)了最適合于信號分離的SPDT開(kāi)關(guān)系列產(chǎn)品。要求更高隔離度的STB※和TV調諧器等設備把已有的SPDT開(kāi)關(guān)多段連接使用或使用分立電路。NJG1666MD7是實(shí)現了使要求高隔離度特性的設備更加容易把信號分離而開(kāi)發(fā)的SPDT開(kāi)關(guān)。

　　【產(chǎn)品特征】

　　特征1　同時(shí)實(shí)現了高隔離度和低插入損耗

　　完成了高隔離度的電路設計和減少了IC芯片、封裝內的寄生電容，從而實(shí)現了高隔離度(70dB@250MHz, 60dB@2.2GHz)的特性，并且實(shí)現了很難同時(shí)共存的低插入損耗(0.50dB typ.@f=2200MHz)。

　　特征2　采用了小型、超薄型封裝

　　NJG1666MD7采用了小型、超薄型封裝EQFN14-D7(1.6x1.6x0.397mm typ.)，實(shí)現了比以往產(chǎn)品(NJG1512HD3：2.0×1.8×0.8mm)28%面積的節減，使安裝基板節省了空間并可小型化。

　　特征3　實(shí)現了高ESD(Electrostatic Discharge)耐壓

　　內置有保護器件，從而實(shí)現了在MM(Machine Model)機器放電模式上可200V以上和在HBM(Human Body Model)人體放電模式上可3000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)耐圧。