Vishay推出新型降壓控制器IC
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SiP12201的輸入電壓范圍介于4.2V~26V,而SiP12202的介于2.7V~5.5V。SiP12201與SiP12202 的可調輸出電壓范圍分別介于0.6V~20V和0.6V~5.5V。在低端達到0.6V的能力對于工作頻率為500kHz的器件而言是一種獨特功能,這一能力可確保SiP12201及SiP12202在未來(lái)十年中能夠滿(mǎn)足對預測可降至0.6V的更低電壓的需求。
高壓SiP12201同步降壓控制器主要面向工業(yè)控制、無(wú)線(xiàn)及線(xiàn)纜調制解調器、機頂盒、液晶電視、電信電源與服務(wù)器以及負載點(diǎn)(POL)模塊,并可為各種終端產(chǎn)品中的微處理器、ASIC、FPGA及DSP提供穩壓電源。
SiP12201能夠驅動(dòng)同步轉換器中高端及低端的n通道MOSFET,并且通過(guò)允許使用兩個(gè)低成本n通道器件,而不是一個(gè)n通道和一個(gè)p通道器件,SiP12201有助于降低整體設計成本。SiP12201還具有工作頻率為500kHz的優(yōu)點(diǎn),這一優(yōu)點(diǎn)可實(shí)現在轉換器設計中使用體積更小的無(wú)源元件。
低壓SiP12202同步降壓控制器主要面向諸如手機等電池供電產(chǎn)品以及筆記本電腦與臺式電腦,以及使用負載點(diǎn)或分布式電源轉換器的其它系統中的電源轉換。為確保在低輸入電壓情況下實(shí)現持續的高效率,可將該控制器設為100%占空比。在電池電量不足的情況下,該器件還能夠通過(guò)轉向100%占空比作為低壓降(LDO)穩壓器運行。
SiP12202可在低端驅動(dòng)n通道MOSFET,以及在高端驅動(dòng)p通道MOSFET。在高端使用p通道MOSFET可無(wú)需使用外部充電泵,同時(shí)還可簡(jiǎn)化高端柵極驅動(dòng)。高達500kHz的高頻率運行可允許使用更小的無(wú)源元件,以縮減終端系統的體積。
由于Vishay提供了兼容的控制器與MOSFET器件,因此設計人員可獲得面向高壓及低壓降壓應用的全面解決方案。SiP12201是為與Vishay Si7114DN n通道功率MOSFET配合使用而進(jìn)行了優(yōu)化,而SiP12202是為與Si7106DN p通道及Si7110DN n通道功率MOSFET配合使用而進(jìn)行了優(yōu)化。
這兩種新型降壓控制器均包含補償/關(guān)斷引腳的組合,以及其它保護功能,例如欠壓鎖定、電源安全輸出、輸出電流限制及熱關(guān)斷。內部軟啟動(dòng)功能可在啟動(dòng)時(shí)防止出現電壓峰值。這兩款控制器均采用無(wú)鉛(Pb)MLP33-10封裝,并且工作范圍均規定為-40℃~+85℃。
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