用于確保信號完整性的ESD保護器件新結構
作者：周智勇 特約撰稿人
時(shí)間：2009-12-11
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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然而，目前HDMI接口已經(jīng)發(fā)展至1.3版本，其速率已經(jīng)遠遠高于最初版本規定的速率。為了進(jìn)一步滿(mǎn)足高速數據接口對ESD保護器件的新要求，日本Tateyama Kagaku工業(yè)股份有限公司提出了一種具有0.2pF(±0.1pF)超低電容的ESD保護器件的結構，如圖3所示。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/101086.htm
這種結構的獨特之處在于采用了鋁基厚膜片，從而制成具有很高機械強度的薄膜結構。此外，因為采用了薄膜絲印電容制作工藝，可以實(shí)現超低的電容。
另一方面，Littlefuse公司提出了一種絕緣的壓變材料(VVM)，當遇到ESD瞬間沖擊時(shí)，VVM變?yōu)閷ú褯_擊旁路到地。在ESD被消耗之后，該材料恢復絕緣狀態(tài)。其核心技術(shù)在于采用了聚合體混合材料，把金屬離子和半導體粒子在電容的兩個(gè)電極之間混合，從而創(chuàng )造極低的電容值，如圖4所示。
Littlefuse提供的基于VVM材料的PulseGuard ESD抑制器件的特點(diǎn)在于，一方面對ESD敏感的IC提供可靠的鉗位保護，另一方面提供低至0.05pF的超低電容。這是現今業(yè)內宣稱(chēng)最低的ESD保護器件的電容值。
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