用于確保信號完整性的ESD保護器件新結構
作者：周智勇 特約撰稿人
時(shí)間：2009-12-11
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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從圖2對1.65Gbit/s數據率信號的眼圖測量中，比較左上角采用0.6pF電容的ESD保護器件測得的眼圖與右下角未使用ESD保護器件測得的眼圖可見(jiàn)，ESD保護器件的電容越低，對信號質(zhì)量退化的影響越小。圖2中左下角和右上角顯示了ESD保護器件的電容分別是2.5pF和3.5pF時(shí)眼圖質(zhì)量變差的情形。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/101086.htm
降低ESD保護器件電容的新結構和材料
為了克服傳統ESD保護二極管的局限，多年前安森美半導體已經(jīng)采用突破性的工藝技術(shù)，將超低電容PIN二極管和大功率TVS二極管集成在單個(gè)裸片上，從而實(shí)現高性能片外ESD保護解決方案。這種集成型ESD保護技術(shù)既保留了傳統硅TVS二極管技術(shù)的良好鉗位和低泄漏性能，又將電容大幅降低至0.5pF。0.5pF的總電容使ESD保護器件適用于USB2.0高速(480Mbit/s)和高清多媒體接口(HDMI)(1.65Gbit/s)等高速應用。
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