索尼將發(fā)表背面照射型CMOS傳感器

　在即將召開(kāi)的“2006年IEEE國際固體電路會(huì )議（ISSCC 2006）”上，將會(huì )有結構獨特的CMOS傳感器進(jìn)行發(fā)表。比如，索尼的傳感器采用了和普通方法相反、向沒(méi)有布線(xiàn)層的一面照射光線(xiàn)的背面照射技術(shù)（演講序號：16.8）?？蓪㈤_(kāi)口率（光電轉換部分在一個(gè)像素中所占的面積比例）提高至近100%。 

　　試制的CMOS傳感器像素間隔為3.45μm，在采用背面照射技術(shù)的產(chǎn)品中較小。與不使用背面照射技術(shù)時(shí)相比，對于550nm的光線(xiàn)，感光度提高了34%。設計工藝為0.25μm，包括1層多晶硅和3層布線(xiàn)層。另一個(gè)特點(diǎn)是配置布線(xiàn)的位置自由度較大。 

　　而日本東北大學(xué)和日本德州儀器組成的研究小組使CMOS傳感器的動(dòng)態(tài)范圍（1幀內可拍攝對象的照度范圍）逼近極限（演講序號：16.7）。具體約為10-2lx～108lx，按對數換算約為200dB。 

　　CMOS傳感器上沒(méi)有設計調節光量的光圈。為了積蓄在強光射入時(shí)所產(chǎn)生的電荷，在光電轉換部分的旁邊設計了電容器。假如是普通結構，這些電荷就會(huì )溢出。樣品的像素間隔為20μm?？傁袼財禐?096。設計工藝為0.35μm，多晶硅2層，布線(xiàn)層3層。