存儲巨頭：這類(lèi)芯片銷(xiāo)售額，暴增5倍以上！
發(fā)布人：傳感器技術(shù)
時(shí)間：2024-01-28
來(lái)源：工程師
發(fā)布文章
加入技術(shù)交流群
掃碼加入
和技術(shù)大咖面對面交流
海量資料庫查詢(xún)
同時(shí)，也釋放了更加明確的存儲市場(chǎng)回暖的信號。事實(shí)上，SK海力士近一年來(lái)的業(yè)績(jì)表現，相當清晰地指明了2024年存儲市場(chǎng)的需求新趨勢。
01
扭虧為盈，并不意外
圖源：SK海力士官網(wǎng)
對于季度業(yè)績(jì)扭虧為盈的原因，SK海力士歸結于兩點(diǎn)，其一是存儲器市場(chǎng)環(huán)境有所改善，用于A(yíng)I服務(wù)器和移動(dòng)端的產(chǎn)品需求增長(cháng)，ASP（平均售價(jià)）上升；其二是公司持續實(shí)施以盈利為主的經(jīng)營(yíng)活動(dòng)發(fā)揮了效果。
其中，“用于A(yíng)I服務(wù)器和移動(dòng)端的產(chǎn)品”具體指的是DRAM產(chǎn)品中的AI存儲芯片HBM3和高容量DDR5 DRAM 。SK海力士透露，2023年第四季度DDR5 DRAM和HBM3的銷(xiāo)售額分別比上年同期增長(cháng)了4倍和5倍以上。與此同時(shí)，SK海力士的DRAM業(yè)務(wù)已率先于2023年第三季度實(shí)現了扭虧為盈。
去年以來(lái)，生成式人工智能的浪潮席卷全球，帶動(dòng)AI芯片需求大漲同時(shí)，面向AI服務(wù)器的存儲器需求以及AI存儲芯片需求也跟著(zhù)水漲船高。而SK海力士持續擴大的對HBM以及DDR5的研發(fā)投入，都踩在了需求風(fēng)口上。
因此，在全球存儲市場(chǎng)緩慢升溫之際，SK海力士率先實(shí)現營(yíng)收扭虧為盈，并不意外。展望2024年，以HBM以及DDR5為代表的高性能存儲器需求依舊強勁。
02
HBM將保持每年45%的高速增長(cháng)
HBM未來(lái)占據DRAM市場(chǎng)的份額有多大呢？有券商以HBM每GB售價(jià)20美元測算，2022年全球HBM市場(chǎng)規模約為36.3億美元，預計至2026年市場(chǎng)規模將達127.4億美元，對應CAGR約37%。另?yè)﨩mdia預計，2023年HBM將占DRAM產(chǎn)業(yè)總營(yíng)收的10%以上，2027年上看20%。
當前，生產(chǎn)高性能AI芯片的大廠(chǎng)都需要HBM，包括英偉達、AMD、谷歌、亞馬遜等。因為HBM（高帶寬內存）能實(shí)現更高的數據吞吐量以及更快的數據傳輸，滿(mǎn)足AI芯片訓練、運行動(dòng)輒上千億參數的大模型的需求。
HBM是如何實(shí)現上述優(yōu)良性能呢？其實(shí)，可以把HBM理解成將很多個(gè)DDR芯片堆疊在一起的組合陣列。這就好比，傳統的DDR都是平房子，HBM則是加蓋起來(lái)的數層高的樓房。目前，HBM立體上最多能堆疊12層。通過(guò)堆疊的方式，不僅可以增加內存容量，還可以實(shí)現更高的數據吞吐量及更低的數據傳輸延遲性，以及很好地控制內存的功耗和芯片面積。
圖為AMD MI300，采用了HBM3，圖源：Semianalysis
另外兩家存儲巨頭也在積極布局HBM，但是進(jìn)展較SK海力士慢。其中三星在2022年表示HBM3已量產(chǎn)。有報道稱(chēng)三星預計從2023年第四季度起開(kāi)始向北美GPU制造商（推測為英偉達）供應HBM3芯片。
至于美光方面，美光2020年年中才開(kāi)始量產(chǎn)HBM2，預計2024年初量產(chǎn)HBM3E，且有望HBM3E于2024會(huì )計年度創(chuàng )造數億美元的營(yíng)收。
目前，全球只有三星、SK海力士、美光三家存儲廠(chǎng)商能生產(chǎn)HBM。國內企業(yè)提供制造過(guò)程的某些材料以及參與某些環(huán)節。不過(guò)，在封裝上，不少廠(chǎng)商表示有所規劃。
- 其中，佰維存儲表示，公司擬定增募資建設的晶圓級先進(jìn)封測項目，可以構建HBM實(shí)現的封裝技術(shù)基礎，更好地滿(mǎn)足市場(chǎng)對高密度存儲的需求。
- 國芯科技表示，公司目前已與合作伙伴一起正在基于先進(jìn)工藝開(kāi)展流片驗證相關(guān)Chiplet芯片高性能互聯(lián)IP技術(shù)工作，和上下游合作廠(chǎng)家積極開(kāi)展包括HBM技術(shù)在內的高端芯片封裝合作，前期目標主要用于公司客戶(hù)定制服務(wù)產(chǎn)品中。
03
未來(lái)三年，DDR5將大規模取代DDR4
DDR5是第五代內存的名稱(chēng)，電腦上的運行內存從DDR、DDR2、DDR3、DDR4一路發(fā)展過(guò)來(lái)，DDR5就是現在最新一代的產(chǎn)品。相較于DDR4，DDR5有很多提升，比如更高的頻率和帶寬、更大的容量、更低的功耗、更強的容錯能力。綜上，DDR5內存在服務(wù)器領(lǐng)域具有巨大的潛力。隨著(zhù)生成式人工智能的蓬勃發(fā)展，AI服務(wù)器需求猛漲，推動(dòng)了市場(chǎng)對 DDR5的需求。
目前，三星、美光、SK海力士三家存儲大廠(chǎng)都在積極開(kāi)發(fā)DDR5，在該領(lǐng)域，依舊是SK 海力士拔得頭籌。
- 首先，在容量方面，SK海力士是唯一能生產(chǎn)128GB DDR5大容量DRAM產(chǎn)品的供應商，占據了該領(lǐng)域100%的市場(chǎng)份額。
- 其次，在良率上，據悉SK海力士的第四代10納米(1a)DDR5 DRAM產(chǎn)品良率已達到黃金水平，遠超競爭對手。
- 最后，在下一代工藝上，SK海力士也有突破。SK海力士去年年中宣布，已完成現有DRAM中最為微細化的第五代10納米級（1b）技術(shù)研發(fā)，并將適用其技術(shù)的DDR5服務(wù)器DRAM提供于英特爾公司開(kāi)始了“英特爾數據中心存儲器認證程序”。
三星則在去年9月宣布成功開(kāi)發(fā)出32Gb DDR5產(chǎn)品，并計劃在去年底量產(chǎn)。去年10月，美光宣布基于業(yè)界領(lǐng)先的1β制程推出16Gb DDR5內存。
上述三家存儲大廠(chǎng)在DDR5的生產(chǎn)過(guò)程中都使用上了EUV（極紫外線(xiàn)光刻設備），這也意味著(zhù)對于國產(chǎn)存儲廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，DDR5內存的突破仍任重道遠。
在DDR5產(chǎn)業(yè)鏈方面，目前本土內存廠(chǎng)商，主要從三星、SK海力士和美光這三家廠(chǎng)商中采購DDR5芯片顆粒，再向模組廠(chǎng)商購買(mǎi)內存模組等，最后組裝成DDR5內存條。
不過(guò)，在DDR5的內存接口方面，本土半導體企業(yè)瀾起科技是內存接口技術(shù)的領(lǐng)導者，在全球微電子行業(yè)標準制定機構JEDEC中牽頭制定DDR5 RCD芯片國際標準。此外，瀾起科技于近日宣布推出DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅動(dòng)器芯片（DDR5 RCD04），該芯片支持高達7200 MT/s的數據速率，較DDR5第一子代RCD速率提升50%。
*博客內容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布，僅代表博主個(gè)人觀(guān)點(diǎn)，如有侵權請聯(lián)系工作人員刪除。
