天津大學(xué)納米中心半導體石墨烯研究取得新突破

天津大學(xué)天津納米顆粒與納米系統國際研究中心（簡(jiǎn)稱(chēng)：納米中心）的馬雷教授及其科研團隊，日前在半導體石墨烯領(lǐng)域取得了顯著(zhù)進(jìn)展。該團隊的研究成果《碳化硅上生長(cháng)的超高遷移率半導體外延石墨烯》（Ultra-high mobility semiconducting epitaxial graphene on silicon carbide），成功地攻克了長(cháng)期以來(lái)阻礙石墨烯電子學(xué)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)難題，打開(kāi)了石墨烯帶隙，實(shí)現了從“0”到“1”的突破，這一突破被認為是開(kāi)啟石墨烯芯片制造領(lǐng)域大門(mén)的重要里程碑。該項成果已于2024年1月3日在《自然》（Nature）雜志網(wǎng)站上在線(xiàn)發(fā)布。

　　石墨烯，作為首個(gè)被發(fā)現可在室溫下穩定存在的二維材料，其獨特的狄拉克錐能帶結構，導致了零帶隙的特性?！傲銕丁碧匦哉抢_石墨烯研究者數十年的難題。如何打開(kāi)帶隙，成為開(kāi)啟“石墨烯電子學(xué)”大門(mén)的“關(guān)鍵鑰匙”。

　　天津大學(xué)天津納米顆粒與納米系統國際研究中心的馬雷教授研究團隊通過(guò)對外延石墨烯生長(cháng)過(guò)程的精確調控，成功地在石墨烯中引入了帶隙，創(chuàng )造了一種新型穩定的半導體石墨烯。這項前沿科技通過(guò)對生長(cháng)環(huán)境的溫度、時(shí)間及氣體流量進(jìn)行嚴格控制，確保了碳原子在碳化硅襯底上能形成高度有序的結構。這種半導體石墨烯的電子遷移率遠超硅材料，表現出了十倍于硅的性能，并且擁有硅材料所不具備的獨特性質(zhì)。該項研究實(shí)現了三方面技術(shù)革新，首先，采用創(chuàng )新的準平衡退火方法，該方法制備的超大單層單晶疇半導體外延石墨烯（SEG），具有生長(cháng)面積大、均勻性高，工藝流程簡(jiǎn)單、成本低廉等優(yōu)勢，彌補了傳統生產(chǎn)工藝的不足；第二，該方法制備的半導體石墨烯，擁有約600 meV帶隙以及高達5500 cm2V-1s-1的室溫霍爾遷移率，優(yōu)于目前所有二維晶體至少一個(gè)數量級；最后，以該半導體外延石墨烯制備的場(chǎng)效應晶體管開(kāi)關(guān)比高達104，基本滿(mǎn)足了現在的工業(yè)化應用需求。

　　在本次天津大學(xué)天津納米顆粒與納米系統國際研究中心的突破性研究中，具有帶隙的半導體石墨烯為高性能電子器件帶來(lái)了全新的材料選擇。這種半導體的發(fā)展不僅為超越傳統硅基技術(shù)的高性能電子器件開(kāi)辟了新道路，還為整個(gè)半導體行業(yè)注入了新動(dòng)力。隨著(zhù)摩爾定律所預測的極限日益臨近，半導體石墨烯的出現恰逢其時(shí)，預示著(zhù)電子學(xué)領(lǐng)域即將迎來(lái)一場(chǎng)根本性的變革，其突破性的屬性滿(mǎn)足了對更高計算速度和微型化集成電子器件不斷增長(cháng)的需求。

　　天津大學(xué)天津納米顆粒與納米系統國際研究中心于2018年7月正式掛牌成立，中心執行主任為馬雷教授。中心依托天津大學(xué)深厚的學(xué)術(shù)底蘊和多學(xué)科的綜合優(yōu)勢，致力于營(yíng)造國際化的學(xué)術(shù)創(chuàng )新環(huán)境，建成石墨烯電子學(xué)與團簇物理學(xué)領(lǐng)域世界一流的國際化研究平臺，為祖國培養銳意進(jìn)取敢為人先、具有科研創(chuàng )新精神的研究型人才，服務(wù)國家重大戰略需求，取得國際一流的研究成果。