佳能發(fā)布新型光刻機!顛覆ASML!
10月13日消息,日本佳能宣布推出新型光刻設備:FPA-1200NZ2C納米壓印半導體制造設備!
受此消息影響,納米壓印概念股午后走高,匯創(chuàng )達午后開(kāi)盤(pán)拉升漲超11%,美迪凱、晶方科技、利和興、蘇大維格等紛紛大幅拉升。
據佳能介紹,傳統的光刻設備通過(guò)將電路圖案投射到涂有抗蝕劑的晶圓上,而佳能此新產(chǎn)品通過(guò)在晶圓上的抗蝕劑上壓印有電路圖案的掩模來(lái)實(shí)現這一點(diǎn),就像郵票一樣。
據了解,佳能的納米壓印光刻(Nano-Imprint Lithography,NIL)技術(shù)可實(shí)現最小線(xiàn)寬14nm的圖案化,相當于生產(chǎn)目前最先進(jìn)的邏輯半導體所需的5nm節點(diǎn)。此外,隨著(zhù)掩模技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn),NIL有望實(shí)現最小線(xiàn)寬為10nm的電路圖案,相當于2nm節點(diǎn)。
資料顯示,納米壓印是一種微納加工技術(shù),它采用傳統機械模具微復型原理。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),傳統的光刻設備通過(guò)將電路圖案投影到涂有抗蝕劑的晶圓上來(lái)轉移電路圖案,而納米壓印光刻造芯片則通過(guò)將印有電路圖案的掩模壓印在晶圓上的抗蝕劑上,就像印章蓋在橡皮泥上,然后經(jīng)過(guò)脫模就能夠得到一顆芯片。

官方消息顯示,佳能早在2004年開(kāi)始秘密研發(fā)NIL技術(shù),2014年美國分子壓印公司(現佳能納米技術(shù))加入佳能集團,該研發(fā)消息才被公開(kāi)。
來(lái)源:中國半導體論壇
*博客內容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布,僅代表博主個(gè)人觀(guān)點(diǎn),如有侵權請聯(lián)系工作人員刪除。