南大光電：多款ArF光刻膠獲驗證，覆蓋28nm~90nm！

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南大光電：公司開(kāi)發(fā)了多款ArF光刻膠在下游客戶(hù)處驗證，制程覆蓋28nm~90nm

南大光電6月2日在互動(dòng)平臺上稱(chēng)，公司開(kāi)發(fā)了多款ArF光刻膠在下游客戶(hù)處驗證，制程覆蓋28nm~90nm，各款產(chǎn)品的驗證進(jìn)度不一。

光刻膠是半導體光刻工藝的核心原材料，其產(chǎn)品水平直接影響芯片制造水平，按曝光波長(cháng)由大到小可分為G/I線(xiàn)膠、KrF膠、ArF膠和EUV膠，隨著(zhù)芯片集成度的提高，適用于8寸、12寸半導體硅片的配KrF、ArF是當下及未來(lái)短期內各光刻膠公司的重點(diǎn)發(fā)力市場(chǎng)。目前國內半導體光刻膠需求90%依賴(lài)從日本、美國進(jìn)口，國內廠(chǎng)商徐州博康、北京科華、蘇州瑞紅、南大光電、上海新陽(yáng)等在半導體高端光刻膠研發(fā)和量產(chǎn)上實(shí)現突破，光刻膠國產(chǎn)化是大勢所趨，隨著(zhù)關(guān)鍵原材料國產(chǎn)化進(jìn)程提速，國內廠(chǎng)商有望實(shí)現份額提升。

光刻膠是半導體產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵原材料之一。

光刻工藝是半導體制造中最為重要的工藝步驟之一，成本約為整個(gè)晶圓制造工藝的1/3，耗費時(shí)間約占整個(gè)硅片工藝的40～60%。光刻材料是指光刻工藝中用到的光刻膠、抗反射涂層、旋涂碳、旋涂玻璃等，其中最為重要的就是光刻膠。光刻膠是一類(lèi)光敏感聚合物，在一定波長(cháng)的光照下光子激發(fā)材料中的光化學(xué)反應，進(jìn)而改變光刻膠在顯影液中的溶解度，從而實(shí)現圖形化的目的。根據曝光后光刻膠薄膜化學(xué)性質(zhì)變化不同所導致的去留情況，光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠，正性光刻膠曝光區域光刻膠中的高分子鏈發(fā)生化學(xué)反應并在基板上獲得與掩膜版相同的圖案；反之，負性光刻膠的高分子鏈在曝光區域光刻膠中因發(fā)生交聯(lián)而不溶從而獲得與掩膜版圖形相反的圖案。半導體光刻膠根據波長(cháng)可進(jìn)一步分為G線(xiàn)光刻膠（436nm）、I線(xiàn)光刻膠（365nm）、KrF光刻膠（248nm）、ArF光刻膠（193nm）、EUV光刻膠（13.5nm）等分辨率逐步提升。

2022年全球市場(chǎng)預計突破26億美元，晶圓廠(chǎng)擴產(chǎn)+技術(shù)迭代提供擴張驅動(dòng)力。

下游數據中心服務(wù)器及新能源汽車(chē)等行業(yè)的快速擴張驅動(dòng)全球晶圓代工廠(chǎng)積極擴產(chǎn)，從而為上游半導體光刻膠提供了持久的增長(cháng)動(dòng)力。SEMI數據顯示，2021年全球半導體光刻膠市場(chǎng)約為24.71億美元，中國大陸市場(chǎng)約4.93億美元，下游晶圓廠(chǎng)擴產(chǎn)有望推動(dòng)國內KrF和ArF膠市場(chǎng)擴容；工藝節點(diǎn)進(jìn)步和存儲技術(shù)升級，光刻層數提升，推動(dòng)單位面積光刻膠價(jià)值量增長(cháng)，隨著(zhù)中國大陸12寸晶圓產(chǎn)線(xiàn)陸續開(kāi)出，價(jià)值含量更高的KrF和ArF（ArFi）光刻膠使用頻率提升、價(jià)值量占比提升。根據SEMI數據，單位面積光刻膠價(jià)值含量由2015年的約0.120美元/平方英寸上漲至2021年的0.174美元/平方英寸。得益于晶圓廠(chǎng)擴產(chǎn)以及市場(chǎng)需求結構性升級，我們測算2022年全球半導體光刻機市場(chǎng)將超過(guò)26億美元。

90%以上市場(chǎng)為海外巨頭壟斷，國內廠(chǎng)商機遇與挑戰并存。

日本掌握最領(lǐng)先的光刻膠配方和工藝，東京應化、JSR、富士、信越化學(xué)、住友化學(xué)等日本廠(chǎng)商占據80%以上市場(chǎng)份額。國內廠(chǎng)商主要有北京科華、徐州博康、南大光電、蘇州瑞紅、上海新陽(yáng)等，具體來(lái)看，G線(xiàn)國產(chǎn)化率較高，I線(xiàn)、KrF、ArF國產(chǎn)化率仍較低，目前部分國內企業(yè)已實(shí)現KrF膠量產(chǎn)，打破國外壟斷，少數廠(chǎng)商已實(shí)現ArF光刻膠自主技術(shù)的突破。

我國光刻膠行業(yè)發(fā)展面臨的主要問(wèn)題有光刻膠關(guān)鍵原料單體、樹(shù)脂、光敏劑等進(jìn)口依賴(lài)較強，對應的測試驗證設備光刻機資源緊張，海外廠(chǎng)商先發(fā)優(yōu)勢顯著(zhù)，國內企業(yè)盡管在KrF膠上實(shí)現部分料號量產(chǎn)但覆蓋面仍較窄。當前半導體產(chǎn)業(yè)鏈逆全球化趨勢正在形成，半導體供應鏈安全至關(guān)重要，光刻膠作為半導體產(chǎn)業(yè)核心原材料，技術(shù)壁壘高，原料自主可控尤為關(guān)鍵。

同時(shí)我們認為，國內廠(chǎng)商也具備一定發(fā)展優(yōu)勢，首先是國產(chǎn)晶圓廠(chǎng)商逆周期擴產(chǎn)新增大量光刻膠需求，國產(chǎn)替代空間廣闊，客戶(hù)替代意愿強。第二，國內光刻膠廠(chǎng)商具備本土化優(yōu)勢，與客戶(hù)聯(lián)系更緊密、反饋溝通更便捷。面對當前困境，我們認為國內晶圓廠(chǎng)應當加強與國產(chǎn)光刻膠廠(chǎng)商聯(lián)系、及時(shí)提供測試反饋，加快產(chǎn)品驗證與導入速度，給光刻膠國產(chǎn)化以更好的成長(cháng)環(huán)境。