「技術(shù)文章」用蒙特卡羅分析做電源設計
在電子模擬中,元件值總是被認為是固定的。有時(shí)設計者想改變這些值來(lái)嘗試測試不同的電路行為。其他時(shí)候,有必要考慮到相同的值可能會(huì )發(fā)生變化,因為并非每個(gè)電子元件都是理想的。市場(chǎng)上有許多相同電子元件的例子,但在給定公差范圍內具有不同的值。讓我們看看如何使用蒙特卡羅分析來(lái)模擬這些值的變化。
蒙特卡羅分析此過(guò)程執行大量模擬,其中每個(gè)組件的值連續隨機變化。他們試圖遵循一個(gè)非常自然和隨機的分布。
讓我們從一個(gè)非常簡(jiǎn)單的例子開(kāi)始中的圖表圖1顯示了一個(gè)典型的RC電路,其中電容器根據時(shí)間常數在一個(gè)時(shí)間內充電。準確地說(shuō),在RC秒后,電壓達到電源電壓的63%。在這種情況下,電容器上的電壓在1000*100E-6秒后為6.32V。

圖1:典型的RC電路
在這個(gè)示例方案中,我們假設所有組件的值都是理想的,即:
電源電壓V1為10V;
電阻器R1為1000歐姆;
電容器C1的容量為100微法拉。
由于所有的成分都有理想值,所以即使生成的圖形也是理想的,并且沒(méi)有考慮到可能的異?;蜃兓?。市場(chǎng)上提供的電阻公差為1%、5%、10%等。即使是電容器,其特性也可能偏離板數據,公差在20%或更多。由于各種原因,蓄電池電壓可能會(huì )下降或升高。由于所有這些原因,設計者需要獲得一個(gè)“更真實(shí)”的圖形,該圖考慮到所用組件值的實(shí)際變化,從而使模擬行為更接近真實(shí)系統的行為。這就是為什么我們真的希望組件的值不是理想的而是真實(shí)的,公差如下:
電池V1:10 V,公差2%;
電阻器R1:1000歐姆,公差10%;
電容器C1:100微法拉,公差25%。
這意味著(zhù),在現實(shí)中,所使用的電子元件可以假定以下數值范圍:
電池V1:電壓在9.8V到10.2之間;
電阻器R1:900歐姆至1100歐姆之間的歐姆值;
電容器C1:容量在75微法拉和125微法拉之間。
這些變化顯然是同時(shí)發(fā)生的。理論上,組合的可能值是無(wú)限的,但設計者需要觀(guān)察電容器電荷圖,在公差規定的自然范圍內盡可能多地變化。功能:
mc(值,公差)
隨機生成x*(1Y)和x*(1-y)之間的隨機值,在公差范圍內指定,具有均勻分布。LTspice接線(xiàn)圖中包含的指南如下:
.param Voltage = mc (10.2 / 100)
.param Resistance = mc (1000,10 / 100)
.param Capacitance = mc (100u, 25/100)
步驟參數模擬1 100 1
測量變壓器電池參數電壓
測量傳輸參數電阻
測量變壓器電容參數
.meas TRAN RC參數電阻*電容
方案的模擬(如所示圖2)表演了一百次。它為每個(gè)組件生成100個(gè)不同的值。建議您仔細觀(guān)察圖表、組件值和指令,以便深入了解程序并能夠繼續閱讀本文。正如你這次看到的,這個(gè)圖包含了幾個(gè)曲線(xiàn),對應于電容器上電壓的增加,有100個(gè)不同的分量值。執行的模擬越多,最終曲線(xiàn)就越真實(shí),請記住,模擬時(shí)間與執行的步數成比例增加。有時(shí),如果電路非常復雜并且由許多元件組成,模擬器需要很長(cháng)時(shí)間來(lái)進(jìn)行數學(xué)計算。

圖2:帶有蒙特卡羅模擬指令的RC電路接線(xiàn)圖和電容器上的電壓圖
在下表中,您將發(fā)現程序產(chǎn)生的100個(gè)電壓、電阻和容量的一些值。顯然,這些都是由軟件生成的隨機值,因此,對于進(jìn)一步的模擬,它們總是不同的。

以下結果顯示了隨機生成的數量的最小值和最大值,參考了100個(gè)模擬:
電池V1產(chǎn)生的最小蒙特卡羅電壓:9.80065 V產(chǎn)生的最大蒙特卡羅電壓:10.1999伏
電阻器R1最小蒙特卡羅歐姆值:901.75歐姆最大蒙特卡羅歐姆值:1099.36歐姆
電容器C1最小蒙特卡羅容量:75.0626 uF最大蒙特卡羅容量:124759 uF
時(shí)間常數RC最小“t”:0.069559秒最大“t”:0.13325秒
在圖3我們可以在電容器上的電壓曲線(xiàn)圖中看到發(fā)生了什么,精確地說(shuō)是在0.069559秒到0.13325秒之間的時(shí)間間隔內,用100個(gè)蒙特卡羅模擬進(jìn)行的。元件在不同環(huán)境下的變化使我們了解它們如何影響和改變電子電路的行為及其時(shí)序。

圖3:用軟件生成的組件值觀(guān)察時(shí)間常數
SiC的蒙特卡羅模擬在DC/DC變換器中,最重要的功率損耗是由開(kāi)關(guān)轉換引起的。損耗與開(kāi)關(guān)頻率和寄生電容值成正比。這個(gè)SiC MOSFET用于切換的s是最重要的,尤其是Rds(ON)參數和切換速度。中所示的升壓轉換器圖4由以下組件組成:
13 V發(fā)電機V1,可以是電池或光伏板;
mH2電感器;
UF3C065080T3S-sicmosfet;
功率肖特基二極管;
50歐姆負載
此升壓轉換器以開(kāi)關(guān)頻率f=10 kHz運行。

圖4:13V到26V DC/DC升壓變換器
部件不是真實(shí)的,因此我們可以很容易地接受以下公差:
V1:/-20%
C1:/-25%
L1:/-15%
C2:/-25%
R1:/-5%
溫度:/-30%
圖中包含的SPICE指令和命令如下:
.param Voltage = mc (13.20 / 100)
.param Cap1 = mc (10u, 25/100)
.param Induct = mc (2m, 15/100)
.param Cap2 = mc (100u, 25/100)
.param Load = mc (50.5 / 100)
.param T = mc (27.30 / 100)
.溫度{T}
.步驟參數模擬1 10 1
測量變壓器電池參數電壓
.meas TRAN capator1參數Cap1
.meas trans Inductor參數感應
.meas TRAN captor2參數Cap2
.meas TRAN電阻器參數負載
測量變壓器溫度參數
我們只提供了10代人的全面的模擬值。請記住,模擬次數越多,最終結果越好。在圖5我們可以看到十種不同的操作條件的模擬,持續了大約15分鐘,并在1.3gb的硬盤(pán)上生成了一個(gè)臨時(shí)文件。下表顯示了蒙特卡羅方法生成的組件值,在任何情況下都在聲明的公差范圍內。


圖5:升壓變換器行為的蒙特卡羅模擬,顯示了負載上的電壓取決于電子元件的不同值
結論通過(guò)適當的操作,還可以隨機改變其他參數,如Sic MOSFET的Rds(ON)和工作頻率等。計算機電子模擬通常是完美和無(wú)誤差的,特別是在指定唯一和準確的值時(shí)。用蒙特卡羅方法增加了測試的實(shí)因子,使電路的行為更接近真實(shí)。使用這種方法,當電子元件的值處于允許的最小值和最大值時(shí),可以觀(guān)察系統的行為。
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