這個(gè)SiC設備龍頭發(fā)布6英寸雙片式SiC外延設備！

來(lái)源：化合物半導體市場(chǎng) 

據介紹，晶盛機電用時(shí)兩年開(kāi)展6英寸雙片式SiC外延設備的研發(fā)、測試與驗證，在外延產(chǎn)能、運營(yíng)成本等方面已取得國際領(lǐng)先優(yōu)勢，與單片設備相比，新設備單臺產(chǎn)能增加70%，單片運營(yíng)成本降幅可達30%以上，將對新能源產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生積極影響。

Source：晶盛機電

發(fā)布會(huì )當天，晶盛機電也重點(diǎn)介紹了8英寸SiC襯底片。據介紹，晶盛機電經(jīng)過(guò)一年的研發(fā)，成功生長(cháng)出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸N型SiC晶體，完成了6英寸到8英寸的擴徑和質(zhì)量迭代，實(shí)現8英寸拋光片的開(kāi)發(fā)，晶片性能參數與6英寸晶片相當，今年二季度將實(shí)現小批量生產(chǎn)，有望助力我國在第三代半導體材料領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)實(shí)現自主可控。

晶盛機電戰略定位先進(jìn)材料、先進(jìn)裝備市場(chǎng)，圍繞硅、藍寶石、碳化硅三大主要半導體材料開(kāi)發(fā)一系列關(guān)鍵設備，業(yè)務(wù)同時(shí)延伸至化合物半導體材料領(lǐng)域。

SiC設備和SiC材料是晶盛機電當下發(fā)展的重點(diǎn)，設備涵蓋長(cháng)晶、拋光和外延設備，其中，SiC外延設備已實(shí)現批量銷(xiāo)售；材料主要是6英寸導電型襯底，現階段，晶盛機電正在寧夏建設“碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目”，投產(chǎn)后將年產(chǎn)40萬(wàn)片6英寸及以上導電型和半絕緣型SiC襯底。

上述最新成果之外，晶盛機電去年也取得了多項研究成果：首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐；建設了6英寸SiC晶體生長(cháng)、切片、拋光環(huán)節的研發(fā)實(shí)驗線(xiàn)，實(shí)驗線(xiàn)產(chǎn)品已通過(guò)下游部分客戶(hù)驗證。

得益于第三代半導體及其他業(yè)務(wù)不斷取得突破，晶盛機電2022年業(yè)績(jì)預增，總營(yíng)收約101.34—113.27億元，同比增長(cháng)70%-90%；歸屬于上市公司股東的凈利潤約27.39—30.81億元，同比增長(cháng)60%-80%。