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開(kāi)關(guān)電源中的CCM與DCM的區別

發(fā)布人:電子資料庫 時(shí)間:2022-12-31 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章
簡(jiǎn)介

反激變換器常用于進(jìn)行AC/DC和DC/DC轉換的開(kāi)關(guān)模式電源,尤其是中低功率范圍(約2W至100W)的電源。在這個(gè)功率范圍內,反激變換器在尺寸、成本和效率比方面都極具競爭力。

反激變換器的工作基于耦合電感器,該電感器除了幫助實(shí)現功率轉換,還可以在變換器的輸入和輸出之間提供隔離功能。除此之外,它具有與其他開(kāi)關(guān)變換器拓撲相同的基本元素:兩個(gè)開(kāi)關(guān)(MOSFET和二極管)和一個(gè)輸出電容器。

反激變換器有兩個(gè)工作階段,即tON和tOFF,這兩個(gè)階段分別根據MOSFET的開(kāi)關(guān)狀態(tài)來(lái)命名并控制。

在tON,期間,MOSFET導通,電流從輸入端流過(guò)原邊電感器,對耦合電感器進(jìn)行線(xiàn)性充電,并在其周?chē)a(chǎn)生磁場(chǎng)(見(jiàn)圖1.b)。在副邊,整流二極管反向偏置,從而使變壓器與輸出端斷開(kāi)連接(見(jiàn)圖1.a)。

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圖1:a)MOSFET和二極管中的電壓 b)原邊和副邊線(xiàn)圈中的電流

存儲在輸出電容器中的電荷負責保持負載上的電壓穩定(見(jiàn)圖2)。

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圖2:反激變換器電流原理圖

在tOFF,期間,MOSFET斷開(kāi),耦合電感器開(kāi)始通過(guò)二極管消磁(二極管現在已直接極化)。然后,電感電流會(huì )為輸出電容器充電并為負載供電。

反激變換器有兩種工作模式,采用何種方式取決于每個(gè)周期中電感電流的最小值。如果在電感完全放電之前MOSFET從tOFF切換到tON,則電感中的電流永遠不會(huì )為零,這種操作方式稱(chēng)為連續導通模式(CCM)。如果tOFF持續足夠長(cháng)的時(shí)間使原邊電感器能夠完全放電,則電感電流將在一段時(shí)間內為零,此時(shí)二極管和MOSFET都處于截止狀態(tài),我們稱(chēng)為斷續導通模式(DCM)。

CCM vs. DCM

反激變換器的這兩種工作模式看起來(lái)非常相似,但實(shí)際上各有優(yōu)缺點(diǎn)。設計人員在設計過(guò)程中全面考慮這些優(yōu)缺點(diǎn)非常重要,因為其所選的工作模式會(huì )對電源變換器的效率、變壓器、調整率、EMI和成本都產(chǎn)生重大影響。圖3和圖4顯示了CCM和DCM之間的區別。

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圖3: CCM模式下的電流和電壓波形

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圖4: DCM模式下的電流和電壓波形

效率

在DCM模式下,由于二極管上沒(méi)有反向恢復損耗且MOSFET為軟導通,其效率要高于CCM模式。但如果占空比太小,則為原邊電感充電的電流將非常高,這會(huì )降低變換器的整體效率。因此,必須為DCM選擇一個(gè)合適的占空比,以發(fā)揮其優(yōu)勢。

變壓器

至于變壓器的尺寸,由于DCM模式需要的電感器較小,因此從理論上講,它可以使用較小的變壓器。但是,由于原邊和副邊電流的尖峰增加,因此變壓器線(xiàn)規也必須加大,這意味著(zhù)兩種模式下的變壓器大小是差不多相同的。盡管如此,DCM模式實(shí)際上確實(shí)允許使用更小的變壓器。由于DCM比CCM模式更有效,因此可以提高DCM模式下的開(kāi)關(guān)頻率,從而應用更小的變壓器。

調整率

至于系統調整率和穩定性,DCM模式中的反激拓撲比CCM模式中的反激拓撲更易補償。這是因為當變換器以CCM模式運行時(shí),會(huì )出現不確定的右半平面零點(diǎn)(RHPZ),它會(huì )在較低頻率上引入不穩定性。DCM模式則將RHPZ推到了更高的頻率上,使環(huán)路更易補償,因此可以提供比CCM更快的瞬態(tài)響應。

此外,當占空比大于0.5時(shí),CCM反激變換器可能會(huì )產(chǎn)生次諧波振蕩,這意味著(zhù)需要進(jìn)行斜率補償。

EMI

由于DCM模式會(huì )對電感器完全充電和放電,因此邏輯上其原邊電流紋波要比CCM模式下大很多。電流紋波將產(chǎn)生一個(gè)可變信號,由于原邊電流回路中不同組件類(lèi)似天線(xiàn)的行為,該信號隨后被傳播,并產(chǎn)生顯著(zhù)的電磁干擾(EMI)。

另一方面,DCM反激變換器還實(shí)現了零電流開(kāi)關(guān)(ZCS),這減少了整流二極管的反向恢復,從而提高了能源效率。但這種軟開(kāi)關(guān)會(huì )影響效率并對EMI產(chǎn)生重大影響,因為它必須使用快速恢復二極管來(lái)減少能量損耗,但這會(huì )在副邊產(chǎn)生非常尖銳的電壓尖峰,引起振鈴,并可能導致高頻差模噪聲。為解決這個(gè)問(wèn)題,必須采用緩沖電路來(lái)減少這些尖峰并確保符合電磁兼容性(EMC)標準和法規。

總結

本文介紹了連續導通模式(CCM)和斷續導通模式(DCM)之間的主要區別。表1匯總了這些差異,并概述了前文未提及的差異。

變量

DCM

CCM

效率

較高

較低

MOSFET VDS_MAX

相同

MOSFET ID_MAX (IP_MAX)

較高

較低

整流二極管反向電壓峰值 (VD_PK)

Same

整流二極管電流峰值 ID1_PK (IS_PK)

較高

較低

RMS 電流和紋波

較高

較低

變壓器尺寸

較小

較大

EMI

較高, 要求較大的電容和濾波器

較低,較小的電容和濾波器

交叉調整率

較高變化

較低變化

瞬態(tài)響應

較快

較慢

穩定性

  • 一階系統

  • 穩定性更強

  • 簡(jiǎn)單的傳遞函數

  • 系統正確穩定的難度增加

  • RHPZ會(huì )產(chǎn)生不利影響

  • 在高占空比(> 50%)下工作時(shí),會(huì )出現次諧波振蕩,需要進(jìn)行斜率補償

圖1: DCM 與 CCM


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