LDO的噪聲是怎樣的產(chǎn)生的，你知道嗎？

LDO的噪聲分為L(cháng)DO內部的噪聲和LDO外部的噪聲。LDO內部的噪聲來(lái)自于內部電路的帶隙基準源（bandgap reference）、放大器以及晶體管。LDO外部的噪聲來(lái)自于輸入。在LDO的手冊中，PSRR（Power Supply Rejection Ratio/PowerSupply Ripple Rejection）是表征LDO抑制外部噪聲的能力，但PSRR高并不代表LDO內部噪聲小。LDO的總輸出噪聲才是表征LDO內部噪聲抑制的參數，一般在電氣特性表里用單位μVRMS表示，或者在噪聲頻譜密度圖上表示。

內部噪聲源包括帶隙基準源產(chǎn)生的噪聲VN(REF)，誤差放大器產(chǎn)生的噪聲VN(AMP)，FET產(chǎn)生的噪聲VN(FET)以及反饋電阻產(chǎn)生的噪聲VN(R1)和VN(R2)。在大多數情況下，由于帶隙基準源電路是由很多不同的電阻、晶體管和電容組成，它所產(chǎn)生的噪聲會(huì )遠遠大于反饋電阻產(chǎn)生的噪聲。而且帶隙基準源是誤差放大器的輸入，它所產(chǎn)生的噪聲也會(huì )經(jīng)由誤差放大器放大來(lái)控制FET，所以誤差放大器本身以及FET所產(chǎn)生的噪聲也會(huì )比帶隙基準源的噪聲要低?？梢哉f(shuō)，LDO內部最大的噪聲源就是帶隙基準源。