振弦采集模塊的激勵方法

河北穩控科技VM系列振弦采集模塊的激勵方法

通過(guò)修改寄存器 EX_METH.[3:0]來(lái)完成激勵方法的選擇， EX_METH[4]用于設置是否忽略傳感器的接入檢測而強制發(fā)送激勵信號。

高壓脈沖激勵法

高壓脈沖激勵法 HPM（ High Voltage Pulse Excitation Method）。 向振弦傳感器發(fā)送單個(gè)瞬時(shí)高壓脈沖信號，使鋼弦產(chǎn)生自主振動(dòng)的方法。在高壓脈沖激勵法中， 以 VSEN 為電壓源， 將低電壓抬升至高壓（ 一般 100V~200V 之間）， 泵壓后的高壓值及向傳感器釋放的電量與泵壓持續時(shí)長(cháng)、泵壓源電壓等參數有關(guān)。

VMXXX 可產(chǎn)生 30~180V 的高壓脈沖激勵信號，較高的 VSEN 電壓可以獲得較高的高壓值。

使用 80V~180V 的高壓脈沖激勵信號均能使振弦良好起振， 為不影響傳感器壽命， 在滿(mǎn)足測量需求前提下， 應盡量利用 HP_EXP 寄存器使高壓激勵信號維持在一個(gè)盡量低的電壓值， 高電壓有可能燒毀傳感器線(xiàn)圈。

高壓激勵時(shí)激勵電壓除受到期望電壓參數限制外，根據實(shí)時(shí)線(xiàn)圈電阻阻值大小還會(huì )進(jìn)行進(jìn)一步的一定的限制

（ 1）強制激勵時(shí)，若外接線(xiàn)圈電阻不在正常范圍內，限制為最高 50V；

（ 2）正常連接傳感器時(shí)，線(xiàn)圈電阻越小時(shí)限制的電壓越低；

線(xiàn)圈電阻 限制電壓 線(xiàn)圈電阻 限制電壓

50Ω 75V 200Ω 140V

100Ω 100V 500Ω 180V

150  120V 600 180V

無(wú)論是高壓脈沖激勵還是低壓掃頻激勵， 最近一次傳感器激勵時(shí)加載到傳感器上的實(shí)際電壓值均可通過(guò)讀取寄存器 VSEN_RT 獲取， 單位為 0.01V。

低壓掃頻激勵法

低壓掃頻 LSM（ Low Voltage Sweeping Method）是指使用一個(gè)與振弦傳感器鋼弦頻率相近的周期性信號，使鋼弦產(chǎn)生自振。低壓掃頻時(shí)， VSEN 電壓即是掃頻電壓。

與低壓掃頻有關(guān)的寄存器有起始頻率寄存器（ FS_FMIN）、 終止頻率寄存器（ FS_FMAX）、頻率步進(jìn)寄存器（ FS_STEP） 以及單步掃頻信號周期數量寄存器（ FS_SCNT）。