存儲巨頭們對技術(shù)未來(lái)的看法

本月初，年度存儲盛會(huì )FMS在美國隆重舉辦。會(huì )上，來(lái)自全球的存儲巨頭分享了他們的技術(shù)未來(lái)的看法和觀(guān)點(diǎn)。
Techinsights首先指出，在 FMS2022 上，所有與會(huì )者慶祝了一個(gè)重要的里程碑，即 NAND 閃存發(fā)明35周年。今年會(huì )議的關(guān)鍵詞似乎是 ：

• CXL-Memory (CXL-DRAM, CXL-NAND), 
• Optane XPoint Memory 倒閉,
• 新的和下一代 2XX 3D NAND 產(chǎn)品, 
• Chiplets, 
• 基于ZNS的存儲系統。

在會(huì )議期間和面對面會(huì )談期間，進(jìn)行了許多關(guān)于關(guān)鍵詞的演示和討論。新的存儲產(chǎn)品送樣，例如 BittWare PCIe 5.0/CXL FPGA 加速器、IBM Elastic Storage System 3500、Infinidat InfiniBox SSA II、鎧俠 CM7 系列 E3.S 企業(yè) NVMe SSD、Phison X1 基于控制器的 SSD 平臺、Pliops XDP、三星內存- 推出semantic CXL SSD、ScaleFlux CSD 3000 SSD、Solidigm P41 Plus SSD with 144L-Q、Supermicro Petascale All-Flash Server with DDR5 and PCIe5.0、Swissbit PCIe-SSD N-30m2，以及YMTC 的X3-9070 with Xtacking 3.0出現在他們展臺上。
在 3D/4D NAND 和 SSD 技術(shù)方面，行業(yè)領(lǐng)導者在主題演講中宣布了他們的新產(chǎn)品和芯片樣品，當中包括了三星、SK 海力士/Solidigm、鎧俠、西部數據和長(cháng)江存儲。從主題演講中要知道的一些事情1.三星重點(diǎn)介紹了推動(dòng)大數據市場(chǎng)的 4 個(gè)技術(shù)進(jìn)步領(lǐng)域；數據移動(dòng)、數據存儲、數據處理和數據管理。三星宣布推出“內存語(yǔ)義 SSD”，它結合了存儲和 DRAM 內存、AI 和 ML 優(yōu)化存儲的優(yōu)勢。該公司于 5 月開(kāi)發(fā)的業(yè)界首款 UFS 4.0 移動(dòng)存儲推出。計劃于本月開(kāi)始量產(chǎn)。三星強調了 SmartSSD 和 CXL DRAM，它們旨在避免當前內存和存儲架構的瓶頸。
2.SK 海力士最近于 7 月向客戶(hù)交付了第一款 V8 238 層 512Gb TLC 4D NAND 閃存，預計將于 2023 年開(kāi)始量產(chǎn)。SK 海力士正在開(kāi)發(fā) 1Tb 的238 層產(chǎn)品。該公司還推出了首個(gè)基于 DDR5 DRAM 的 CXL 樣品。Solidigm 推出了配備 144L-Q 的 P41 plus SSD。他們還在主題演講中展示了世界上第一個(gè)工作的 Penta-Level Cell (PLC) SSD 芯片樣品，其 192L-Q 首次能夠在每個(gè)存儲單元存儲 5 位數據，相同占用空間內的數據增加 25%與四級單元 (QLC) SSD 相比。
3.鎧俠推出基于MLC（2bit/cell）BiCS FLASH的第二代XL-FLASH單片機解決方案。第一代是基于 SLC 的。Gen2 XL-FLASH 的內存容量為 256Gb/die。產(chǎn)品樣品發(fā)貨計劃于 11 月開(kāi)始，預計 2023 年開(kāi)始量產(chǎn)。
4.長(cháng)江存儲推出X3-9070 TLC 3D NAND Flash樣品產(chǎn)品，搭載Xtacking 3.0 Architecture, 4th gen。3D NAND（1Tb TLC 芯片， 232L 6 平面設計）。
關(guān)于英特爾最近宣布退出的 Optane XPoint Memory，FMS 2022 大會(huì )上召開(kāi)了特別會(huì )議。Chuck Sobey（FMS 會(huì )議主席）和一些分析師（Tom Coughlin、Jim Handy 和 Dave Eggleston）與一些英特爾人員一起回顧了它的歷史、業(yè)務(wù)和問(wèn)題。
簡(jiǎn)而言之，Optane（XPoint Memory）性?xún)r(jià)比不高，不會(huì )成為未來(lái)產(chǎn)品的一部分。盡管 Optane XPoint Memory 正在逐漸減少，但它奠定了持久內存的價(jià)值，并被用于設計和制造創(chuàng )新的存儲系統。此外，它確實(shí)有助于推動(dòng) CXL 接口存儲器技術(shù)的發(fā)展。會(huì )議上的一些經(jīng)驗教訓和討論

• XPoint 是全新的 PCM
• 自 2016 年以來(lái)，英特爾傲騰 DIMM 和持續內存損失總計超過(guò) 70 億美元
• 光刻和產(chǎn)品成本限制了 XPoint 兩層或四層堆疊，這導致難以實(shí)現更高密度（不再是 Gen3）
• 連貫持久記憶的價(jià)值有限
• 例如，與微軟的有限合作伙伴關(guān)系失敗了
• CXL接口SSD未來(lái)可能會(huì )取代Optane持久內存或SCM（Storage Class Memory）市場(chǎng)

從 FMS2022 開(kāi)始，關(guān)于 Memory 的 10 大預測可以總結為

• NAND 的未來(lái)是 NAND（不會(huì )被任何 EM/XPoint 取代）
• DRAM 的未來(lái)是 DRAM（不會(huì )被任何 EM/XPoint 取代）
• 記憶墻是真實(shí)的，而且越來(lái)越糟
• 三星和 SK 海力士考慮成本和市場(chǎng)需求的不僅僅是揭示新技術(shù)節點(diǎn)，這與美光不同。
• 計算存儲/內存正在變得流行
• CXL將成為存儲和數據中心的主流
• MRAM 在嵌入式設備中越來(lái)越普遍
• FLASH+HDD等混合存儲系統仍未死
• 元數據管理越來(lái)越重要
• Optane XPoint 內存已不復存在，CXL-DRAM/NAND 內存將取而代之，用于 SCM 應用。

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