開(kāi)關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS），又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置，也是一種以半導體功率器件為開(kāi)關(guān)管，控制其關(guān)斷開(kāi)啟時(shí)間比率，來(lái)保證穩定輸出直流電壓的電源。開(kāi)關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS），又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置，也是一種以半導體功率器件為開(kāi)關(guān)管，控制其關(guān)斷開(kāi)啟時(shí)間比率，來(lái)保證穩定輸出直流電壓的電源。在目前電子產(chǎn)品的飛速增長(cháng)中，開(kāi)關(guān)電源憑借其70%~

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現象。第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現象。在介質(zhì)負載的開(kāi)關(guān)運行斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區而導致破壞的模式會(huì )引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區域引

電路的功能若要用555芯片組成長(cháng)時(shí)間定時(shí)電路，R用高阻值，便可加長(cháng)CR時(shí)間常數，但是，由于內部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門(mén)限電壓，比較器無(wú)法驅動(dòng)，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時(shí)器芯片，選用高阻

在開(kāi)關(guān)電源應用MOS管的時(shí)候，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來(lái)對mos管來(lái)驗證。在開(kāi)關(guān)電源應用MOS管的時(shí)候，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來(lái)對mos管來(lái)驗證。那么柵極電荷和導通阻抗很重要，這都是對電源的效率有直接的影響，主要是傳導損耗和開(kāi)關(guān)損耗。還有在電源中第二重要的是MOS管參數包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。用于針對N+1冗余拓撲的并行電源控制的MOS管在ORing F