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碳化硅制造
碳化硅制造 文章 進(jìn)入碳化硅制造技術(shù)社區
克服碳化硅制造挑戰，助力未來(lái)電力電子應用
- 幾十年來(lái)，硅（Si）一直是半導體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件，無(wú)處不在。然而，隨著(zhù)汽車(chē)和可再生能源等領(lǐng)域對現代電力需求應用的發(fā)展，硅的局限性變得越來(lái)越明顯。隨著(zhù)行業(yè)不斷探索解決方案，寬禁帶（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），被視為解決之道。禁帶寬度描述了價(jià)帶頂部和導帶底部之間的能量差。硅的禁帶寬度相對較窄，為1.1電子伏特（eV），而SiC和GaN的禁帶寬度分別為3.3eV和3.4eV。圖1 寬禁帶材料的物理特性（資料來(lái)源：安森美）這些特性意味著(zhù)寬禁帶材料的特性更像絕緣體
- 關(guān)鍵字： 碳化硅制造 安森美 電力電子
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碳化硅制造介紹
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