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納米能源所壓電光電子學(xué)應力成像芯片系統

- 美國佐治亞理工學(xué)院(GeorgiaInstituteofTechnology)和中國科學(xué)院北京納米能源與系統研究所王中林院士領(lǐng)導的研究小組最近利用垂直生長(cháng)的納米壓電材料陣列研制出大規模發(fā)光二極管陣列,并且利用壓電光電子學(xué)效應首次實(shí)現利用外界應力/應變改變納米壓電發(fā)光二極管發(fā)光強度的過(guò)程;首次研制出主動(dòng)自適應式的、高分辨率的、以光電信號為媒介、并行處理的壓力傳感成像芯片系統。相關(guān)論文于8月11日在線(xiàn)發(fā)表在《自然-光子學(xué)》雜志上。 用電信號或光電信號成功實(shí)現對高分辨率觸覺(jué)(小于50微米,人的皮膚感知
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成像芯片介紹
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