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低功耗dct
低功耗dct 文章 進(jìn)入低功耗dct技術(shù)社區
一種基于位寬調節的低功耗DCT電路設計*
- 本文提出了一種基于位寬調節的低功耗離散余弦變換（DCT）電路設計。該方案利用了DCT的能量集中特性，在近似DCT的基礎上重新設計了近似系數并對其位寬進(jìn)行調節，借此減小了高頻輸出中間運算的位寬，降低了運算的復雜度。在0.18 um的CMOS工藝下實(shí)現該電路，仿真結果顯示相較于傳統DCT，提出的結構在面積上減小了36.0%, 功耗上降低了62.6%，但PSNR只損失了4.3 dB。同時(shí)，與其他的近似DCT相比，提出的結構具有顯著(zhù)更低的功耗，能夠滿(mǎn)足一些低功耗場(chǎng)合的要求。
- 關(guān)鍵字： 低功耗DCT 位寬調節 近似計算 能量集中特性 202009
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低功耗dct介紹
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