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串行eeprom
串行eeprom 文章 進(jìn)入串行eeprom技術(shù)社區
I2C總線(xiàn)與串行EEPROM
- 在I2C總線(xiàn)上，數據是串行傳輸的，但數據的讀／寫(xiě)是以8位為單位的，不可以只指定存儲器內部某特定的比特位進(jìn)行讀...
- 關(guān)鍵字： I2C總線(xiàn) 串行EEPROM
意法半導體擁有最寬的串行EEPROM和專(zhuān)用存儲器
- 意法半導體是串行EEPROM（電可擦除可編程存儲器）即通過(guò)電可以重寫(xiě)的非易失性存儲器芯片的世界第一大供應商。這些存儲器的特點(diǎn)是粒度精細，因為支持字節更新或頁(yè)面更新，更新速度5毫秒到10毫秒，所以靈活性極高，EEPROM的耐擦寫(xiě)性能遠遠高于100萬(wàn)次，超過(guò)了絕大多數應用的擦寫(xiě)要求。然而，這一驚人的靈活性卻被存儲單元較大而導致存儲密度低的缺陷抵消了。因此，EEPROM 存儲器最適合存儲經(jīng)常更改參數的應用。 在下面的市場(chǎng)上，各種最終設備都使用內置串口（如SPI和I2C）的EEPROM存儲器存儲參數:
- 關(guān)鍵字： 串行EEPROM 消費電子 意法半導體 用存儲器 存儲器 消費電子
ST推出串行EEPROM系列產(chǎn)品
- 意法半導體宣布該公司存儲密度2 Kbit到64 Kbit的所有串行EEPROM芯片（SPI和I2C接口兩個(gè)系列）都將采用2 x 3mm MLP8微型封裝，與上一代的4 x 5mm S08N封裝相比，新封裝能夠為高端消費電子和通信產(chǎn)品節省大量的空間和成本。 ST是市場(chǎng)第一個(gè)用小封裝提供全系列低密度串行EEPROM產(chǎn)品的半導體廠(chǎng)商。與其它封裝相比，新的超薄(0.6mm)細節距雙平面2 x 3mm微型引腳框架封裝(MLP)取得了多項重大技術(shù)改良，而且新系列產(chǎn)品的占位面積在2 Kbit到64 Kbit整個(gè)系列內
- 關(guān)鍵字： MLP8微型封裝 ST 串行EEPROM 單片機 嵌入式系統 封裝
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串行eeprom介紹
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