- 氧化鋁陶瓷基板上薄膜無(wú)源元件混合電路過(guò)去常用于要求高精度、長(cháng)期穩定可靠、中等功耗和頻率不超過(guò)100MHz的應用。提高這些傳統性能的極限以滿(mǎn)足平面傳輸線(xiàn)濾波器不斷發(fā)展和增長(cháng)的要求,已成為生產(chǎn)流程控制、材料相容
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X波段 微帶帶通 濾波器 仿真
- 接下來(lái)進(jìn)行功率輸出級的設計, 功率輸出級選用的是Transcom 公司的TC1201。偏置方式采用的是自給偏置的方式, 將其偏置在4 V 25 mA, 做好偏置后生成它的S2P 文件, 建模并仿真, 仿真過(guò)程同第1 級一樣。接好負反饋
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X波段 低噪聲放大器 設計分析
- 摘要:利用GaAsFET的非線(xiàn)性特性設計了一個(gè)X波段二倍頻器,輸入頻率為6.1~6.3 GHz,輸出頻率為12.2~12.6 GHz,帶寬400 MHz。在理論計算的基礎上,結合微波仿真軟件ADS對輸入匹配電路、輸出匹配電路和平行耦合帶
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ADS 仿真 X波段 倍頻器
- 氧化鋁陶瓷基板上薄膜無(wú)源元件混合電路過(guò)去常用于要求高精度、長(cháng)期穩定可靠、中等功耗和頻率不超過(guò)100MHz的應用。提高這些傳統性能的極限以滿(mǎn)足平面傳輸線(xiàn)濾波器不斷發(fā)展和增長(cháng)的要求,已成為生產(chǎn)流程控制、材料相
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X波段 微帶帶通 濾波器 仿真設計
- 0 引 言
隨著(zhù)電子技術(shù)的發(fā)展,對現代有源相控陣雷達的要求越來(lái)越高,而T/R組件是構成有源相控陣雷達的核心部件之一,因此對T/R組件的各個(gè)性能提出了更高的要求。同時(shí)微電子技術(shù)和MMIC電路的發(fā)展為T(mén)/R組件的
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X波段 高功率
- 基片集成波導是一種具有低差損、低輻射、高品質(zhì)因數的新型平面導波結構。文中利用基片集成波導結構設計并制作了一種X波段的帶通濾波器,該濾波器易與其它微波平面電路集成。實(shí)測結果表明,該濾波器的中心頻率是9.58 GHz,相對帶寬是8.35%,通帶內的插入損耗是3.8 dB,回波損耗<一15 dB。
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X波段 基片集成波導 帶通濾波器
x波段介紹
目錄
1 簡(jiǎn)介
簡(jiǎn)介
X波段通常的下行頻率為7.25-7.75 GHz,上行頻率為7.9-8.4 GHz,也常被稱(chēng)為7/8 GHz波段(英語(yǔ):8/7 GHz X-band)。而NASA和歐洲空間局的深空站通用的X波段通信頻率范圍則為上行7145-7235 MHz,下行8400-8500 MHz。
根據國際電信聯(lián)盟無(wú)線(xiàn)電規則第8條,X頻段在空間應用方面有空間研究、廣播衛星 [
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