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日立瑞薩開(kāi)發(fā)低功耗轉換存儲器單元
- 新型單元是一種用于嵌入式系統的下一代微控制器片上非易失存儲器的頗具前途的解決方案，它可以在1.5V電源電壓條件下進(jìn)行編程，且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比，每個(gè)單元的功耗降低了50％。此外，相對于現有的非易失存儲器，新的相位轉換單元在高速讀寫(xiě)能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此，這些原型可在
- 關(guān)鍵字： MOS 日立 瑞薩 存儲器
V-Infinity推出功率達800W緊湊型開(kāi)關(guān)電源
- V-Infinity推出適合工業(yè)及網(wǎng)絡(luò )產(chǎn)品的VPF/VPM-S800-XXR系列800W開(kāi)關(guān)電源。這些電源采用U型框架(編號為VPF，大小7.99
- 關(guān)鍵字： V-Infinity 模擬IC 電源
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