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外接存儲卡引安全疑慮 業(yè)者推動(dòng)去Micro SD化
- 蘋(píng)果(Apple)在內等智能型手機廠(chǎng)在2年前開(kāi)始在手機采內建存儲器設計后,正式舍棄Micro SD卡擴充設計,隨后其他手機廠(chǎng)商也紛紛跟進(jìn),造成目前仍支持Micro SD卡擴展的手機寥寥無(wú)幾。 媒體分析認為,造成Micro SD卡逐漸在手機失寵原因除了安全性外,某種程度來(lái)說(shuō),去Micro SD卡后讓具備更大存儲器需求之用戶(hù)必須改采購價(jià)格更高的手機,自然可為廠(chǎng)商貢獻更多收益。 除了蘋(píng)果不再支持Micro SD卡之外,Google在去Micro SD卡的努力也早有脈絡(luò )可循。當年Google所推出
- 關(guān)鍵字: 存儲卡 Micro SD
基于FPGA的3G/HD/SD-SDI信號光纖傳輸系統的設計

- 介紹了基于FPGA和高速串行復接/解復接技術(shù),將3G/HD/SD-SDI信號通過(guò)光纖實(shí)現無(wú)損長(cháng)距離傳輸的方法。與傳統的傳輸方案相比,此方案可以完成傳輸高清視頻的平滑升級,并向下兼容現有的視頻傳輸網(wǎng)絡(luò ),降低了網(wǎng)絡(luò )的改造升級成本。
- 關(guān)鍵字: 3G/HD/SD-SDI 光纖傳輸 自動(dòng)均衡 時(shí)鐘恢復 201509
Littelfuse推出新型SD和SD-C系列瞬態(tài)抑制二極管

- Littelfuse公司是全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),日前宣布推出其瞬態(tài)抑制二極管陣列(SPA?二極管)的最新成員:SD和SD-C系列450W分散式單向和雙向瞬態(tài)抑制二極管。 此類(lèi)快熔型瞬態(tài)抑制二極管設計用于保護破壞性靜電放電(ESD)和雷擊引致的浪涌電流,是替代低速和直流應用中多層壓敏電阻(MLV)的理想選擇,因為其可在±30kV的條件下安全吸收反復性ESD震擊而不會(huì )對性能造成不利影響,并可安全地耗散高達30A的浪涌電流。 其低動(dòng)態(tài)電阻提供比其它競爭技術(shù)低50%的箝位電壓,因此非常適用于保護按鈕、開(kāi)
- 關(guān)鍵字: Littelfuse SPA二極管 SD
東芝推出支持下一代內容安全技術(shù)SeeQVault?的橋接芯片

- ?????????支持符合SeeQVault?標準的USB存儲設備 東京—東芝公司日前宣布推出支持下一代安全規范SeeQVault?的橋接芯片“TC358782XBG”。SeeQVault?支持將防拷貝高清內容傳輸至便攜式存儲設備。樣品將從4月開(kāi)始提供,批量生產(chǎn)定于8月開(kāi)始?! ∈鼙Wo的高清內容無(wú)法傳輸至外部存儲器;用戶(hù)需要在錄制它的設備上播放內容或者將其轉換為標清畫(huà)質(zhì)。SeeQVault?為兼容設備提供了一種解決
- 關(guān)鍵字: 東芝 USB SeeQVault,SD
安森美配合智能電網(wǎng)及智能家庭趨勢的工業(yè)通信及安全保護方案

- 如今,全球能源需求不斷增加,加速消耗現有資源,促使各國政府制定更積極的節能目標和更嚴格的高能效標準,由此產(chǎn)生一系列的積極影響。如傳統低能效的白熾燈照明正加速向LED照明過(guò)渡,傳統電網(wǎng)向的智能電網(wǎng)生態(tài)系統過(guò)渡,傳統汽車(chē)向電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力汽車(chē)過(guò)渡,以及高能效電源和電機驅動(dòng)越來(lái)越受重視。
- 關(guān)鍵字: 安森美 智能電網(wǎng) WAN 智能電表 PLC
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