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NAND Flash和NOR Flash的比較
- NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù)，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因
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ST推出新的汽車(chē)級32-Mbit NOR閃存
- ST推出一個(gè)新的符合汽車(chē)級質(zhì)量標準、工作溫度范圍-40℃到+125℃的32-Mbit閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品M29W320是為汽車(chē)儀表板系統、汽車(chē)多媒體和其它的需要快速訪(fǎng)問(wèn)大量代碼和數據的應用專(zhuān)門(mén)設計。 ST目前提供4 Mbit到32 Mbit的車(chē)用NOR閃存產(chǎn)品組合。到2007年第二季度，該系列還將增加一個(gè)64-Mbit的NOR閃存IC，到2007年底，還將增加一個(gè)128-Mbit的NOR閃存。 采用ST的最先進(jìn)的0.11µm閃存制造工藝，M29W320可以在2.7V到3
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ST推出新的汽車(chē)級32-Mbit NOR閃存
- ST推出一個(gè)新的符合汽車(chē)級質(zhì)量標準、工作溫度范圍-40℃到+125℃的32-Mbit閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品M29W320是為汽車(chē)儀表板系統、汽車(chē)多媒體和其它的需要快速訪(fǎng)問(wèn)大量代碼和數據的應用專(zhuān)門(mén)設計。 ST目前提供4 Mbit到32 Mbit的車(chē)用NOR閃存產(chǎn)品組合。到2007年第二季度，該系列還將增加一個(gè)64-Mbit的NOR閃存IC，到2007年底，還將增加一個(gè)128-Mbit的NOR閃存。 采用ST的最先進(jìn)的0.11µm閃存制造工藝，M29W320可以在2.7V
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Cell處理器成品率僅10％ PS3產(chǎn)能遭質(zhì)疑
- 7月16日消息，據外電報道，IBM半導體及技術(shù)服務(wù)部門(mén)副總裁湯姆-里夫斯（Tom Reeves）日前表示，索尼PS3所使用的新型Cell處理器的制造工藝非常復雜，成品率一般只有10%-20%。 據美聯(lián)社報道，里夫斯日前在接受采訪(fǎng)時(shí)稱(chēng)：“生產(chǎn)普通芯片的成品率可達到95%。而生產(chǎn)Cell處理器，如果能達到10%或20%的成品率就已經(jīng)很幸運了?！? 換言之，Cell處理器的產(chǎn)量是相當有限的。因此，這種情況難免引發(fā)人對索尼
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英特爾擴展嵌入式產(chǎn)品進(jìn)入串行閃存市場(chǎng)
- 中國北京, 2006年6月7日–英特爾（中國）有限公司今天宣布, 將擴展其N(xiāo)OR閃存產(chǎn)品線(xiàn)，以滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的數十億美元嵌入式市場(chǎng)的需要。英特爾公司計劃引入3伏（3V）版本的英特爾StrataFlash®嵌入式存儲架構。英特爾還透露,將以首款串行外圍接口（Serial Peripheral Interface, SPI）產(chǎn)品進(jìn)入迅速發(fā)展的串行閃存領(lǐng)域。 英特爾的上述行動(dòng)體現了其對NOR嵌入式閃存市場(chǎng)的高度重視。嵌入式閃存目前已被廣泛應用到各種消費電子
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Cell Linux擴展和開(kāi)發(fā)工具發(fā)布
- IBM、索尼公司和索尼電腦娛樂(lè )公司（后兩家公司合稱(chēng)為“索尼集團”）日前宣布推出具有突破性的Cell寬帶引擎架構（CBEA）技術(shù)的軟件組件和文檔，其中包括可支持Cell編程的Linux擴展。這些資源將通過(guò)IBM的開(kāi)發(fā)人員論壇developerWorks（www.ibm.com/developerworks/power/cell），巴塞羅那大學(xué)超級計算中心，以及索尼電腦娛樂(lè )公司網(wǎng)站（http://cell.scei.co.jp/）為用戶(hù)提供。 IBM院士Jim Kahle表示：“通過(guò)這些軟件和文檔，
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全球NOR閃存市場(chǎng)05年銷(xiāo)售收入將增長(cháng)7%
- 據外電報道，據研究機構Semico研究公司稱(chēng)，NOR閃存市場(chǎng)將扭轉當前市場(chǎng)銷(xiāo)售收入下降的局面，在2006年的銷(xiāo)售收入將達到創(chuàng )紀錄的110億美元。然而，在2005年，NOE閃存市場(chǎng)將僅比2004年增長(cháng)7%。 Semico非易揮發(fā)存儲器服務(wù)經(jīng)理Jim Handy在聲明中稱(chēng)，NOR閃存目前銷(xiāo)售收入的下降是供需不平衡的結果。這種不平衡的情況將在2006年得到糾正。由于內存產(chǎn)品供過(guò)于求，所有的產(chǎn)品的價(jià)格都將下跌。NOR閃存也不例外，也將同內存市場(chǎng)的產(chǎn)品一起下跌。市
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IBM、索尼、東芝揭開(kāi)“Cell”處理器面紗
- 首次公布包含Power架構和協(xié)處理器的多內核芯片技術(shù)細節 11月29日，IBM、索尼公司、索尼電腦娛樂(lè )公司 (索尼公司及索尼電腦娛樂(lè )公司在下文中統稱(chēng)為索尼) 和東芝公司今天首次透露了一些代號為“Cell”的微處理器的核心理念。這款被寄予厚望的先進(jìn)微處理器由上述公司共同開(kāi)發(fā)，主要面向下一代計算應用和消費類(lèi)數碼電子產(chǎn)品。 這四家公司還宣布，將在2005年2月6日至10日于舊金山召開(kāi)的國際固態(tài)電路會(huì )議（ISSCC）上，公布該處理器的技術(shù)細節。 以上公司證實(shí)，“Cell”是一款多核心芯片，內部包
- 關(guān)鍵字： “Cell”處理器 嵌入式
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