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為低功耗應用選擇正確的 µC 外圍器件
- 在現實(shí)世界中，Power（權力）就意味著(zhù)金錢(qián)－越大越好；而對于 µC 外圍器件來(lái)說(shuō)則正好相反。隨著(zhù)消費市場(chǎng)的不斷發(fā)展，終端應用產(chǎn)品的體積不斷縮小，Power（功率）越小越好。便攜性和低功耗成為最優(yōu)先考慮的事情，并促成處理器內核電壓降至1.8 v 的行業(yè)動(dòng)向，也就不足為奇了。盡管與 3.3 v 和 5 v 型號相比，這些低功耗器件消耗的能量確實(shí)要低得多，但是低功耗處理器并非都一樣。設計出色的低功耗應用需要同時(shí)考慮終端應用的需求和各種可用的 µC 特性。設計人員可能會(huì )提出以下問(wèn)題：是否
- 關(guān)鍵字： & C micro
RF MICRO DEVICES為新型AT&T無(wú)線(xiàn)終端提供解決方案
- 日前，無(wú)線(xiàn)通信應用領(lǐng)域的領(lǐng)先專(zhuān)用射頻集成電路(RFIC)供應商RF Micro Devices, Inc.公司（Nasdaq 股市代號: RFMD）宣布，該公司正在批量發(fā)運用于 AT&T Wireless 最近宣布推出的 Ogo™ 無(wú)線(xiàn)終端的 POLARIS™ TOTAL RADIO™ 解決方案。POLARIS 解決方案由 RFMD 的 GSM/GPRS POLARIS 收發(fā)器和該公司業(yè)界領(lǐng)先的 PowerStar® 功率放大器 (PA) 模塊組成。
- 關(guān)鍵字： RF Micro Devices Inc. RF IF
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