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通信開(kāi)關(guān)電源的EMI／EMC設計

1 引言　　通信開(kāi)關(guān)電源一般都采用脈沖寬度調制(PWM)技術(shù)，其特點(diǎn)是頻率高、效率高、功率密度高、可靠性高，另外還有體積小、重量輕、具有遠程監控等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛地應用于程控交換、光數據傳輸、無(wú)線(xiàn)基站、有線(xiàn)電視系統及IP網(wǎng)絡(luò )中，是信息技術(shù)設備正常工作的核心動(dòng)力。然而，由于其開(kāi)關(guān)器件工作在高頻通斷狀態(tài)，高頻的快速瞬變過(guò)程本身就是電磁干擾(EMD)源，他產(chǎn)生的電磁干擾EMI信號有很寬的頻率范圍，又有一定的幅度，經(jīng)傳導和輻射會(huì )污染電磁環(huán)境，對通信設備和電子產(chǎn)品造成干擾。同時(shí)，通信開(kāi)關(guān)電源要有很強的抗電磁干
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TDK開(kāi)發(fā)出了薄膜共模濾波器陣列EMI濾波器TCM2010H

TDK株式會(huì )社日前開(kāi)發(fā)出了EMI濾波器TCM2010H，并將其投入市場(chǎng)。EMI濾波器TCM2010H在同行業(yè)內首次實(shí)現將2個(gè)濾波元件合并于單片元件中（陣列化），適用于高速數據傳送線(xiàn)，特別是可以滿(mǎn)足HDMI ver1.3在處理高速信號時(shí)的降噪需求。該產(chǎn)品的尺寸為2.0mm（L）
關(guān)鍵字：測試測量 TDK 濾波器 EMI TCM2010H 測試測量

從布局和器件選擇入手來(lái)控制EMI的藝術(shù)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
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非隔離式DC-DC轉換器的布局考慮

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了解并消除微控制器應用中的EMI

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關(guān)鍵字： EMI 美國國家半導體

EMIEMC設計秘籍

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直流電機伺服驅動(dòng)開(kāi)關(guān)電源的EMI濾波器設計

本文介紹的就是一種直流電機伺服驅動(dòng)開(kāi)關(guān)電源的EMI濾波器設計。
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消除板內EMI

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EMI/EMC設計講座(四)印刷電路板的映像平面

一個(gè)映像平面（image plane）是一層銅質(zhì)導體（或其它導體），它位于一個(gè)印刷電路板（PCB）里面。它可能是一個(gè)電壓平面，或鄰近一個(gè)電路或訊號路由層（signal routing layer）的0V參考平面。1990年代，映像平面的觀(guān)念被普遍使用，現在它是工業(yè)標準的專(zhuān)有名詞。本文將說(shuō)明映像平面的定義、原理和設計。映像平面的定義射頻電流必須經(jīng)由一個(gè)先前定義好的路徑或其它路徑，回到電流源；簡(jiǎn)言之，這個(gè)回傳路徑（return path）就是一種映像平面。映像平面可能是原先的走線(xiàn)的鏡像（mi
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控制共模輻射電磁干擾的基本方法

電磁干擾(EMI)指電路板發(fā)出的雜散能量或外部進(jìn)入電路板的雜散能量，它包括：傳導型(低頻)EMI、輻射型(高頻)EMI、ESD(靜電放電)或雷電引起的EMI。傳導型和輻射型EMI具有差模和共模表現形式。在處理各種形式的EMI時(shí)，必須具體問(wèn)題具體分析。對于ESD和雷電引起的EMI，必須利用EMI抑制器件在ESD和雷電進(jìn)入系統之前予以消除，防止由此導致的系統工作異?；驌p壞。對傳導型或低頻EMI，不論是接收還是發(fā)送，都要在電源線(xiàn)上和電路板輸入/輸出口的傳輸線(xiàn)路上采取濾波措施。輻射型EMI的抑制有3種基本形式：電
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手機、相機、液晶顯示屏抗電磁干擾特性的實(shí)現

隨著(zhù)手機中LCD及相機的視頻分辨率越高，數據工作的頻率將超過(guò)40MHz，對抑制無(wú)線(xiàn)EMI與ESD而言，傳統的濾波器方案已達到它們的技術(shù)極限。為適應數據速率的增加且不中斷視頻信號，設計者可以選擇本文討論的新型低電容、高濾波性能EMI濾波器。隨著(zhù)無(wú)線(xiàn)市場(chǎng)的繼續發(fā)展，下一代手機將擁有更多的功能特性，例如帶多個(gè)彩屏（每部手機至少有兩個(gè)彩屏）以及百萬(wàn)像素以上的高分辨率相機等。 &nbs
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大功率開(kāi)關(guān)電源中EMI干擾的抑制

1 引言隨著(zhù)開(kāi)關(guān)電源應用領(lǐng)域的不斷擴大，其電磁干擾已成為一個(gè)很?chē)乐氐膯?wèn)題，為了使電源產(chǎn)品滿(mǎn)足EMC的要求，設計人員就應在設計階段考慮這一問(wèn)題，同時(shí)也要做好在現場(chǎng)處理這一問(wèn)題的準備。 2 開(kāi)關(guān)電源EMI的特點(diǎn)與危害開(kāi)關(guān)電源的功率管工作在非線(xiàn)性條件下，采用脈寬調制（PWM）開(kāi)關(guān)控制方式，加之開(kāi)關(guān)頻率的不斷提高，使得電磁干擾越來(lái)越突出，對電網(wǎng)造成污染?！∫蚋蓴_的存在，輸入電源的電網(wǎng)受到了干擾，影響到其它設備，使其不能正常的工作，也影響到電網(wǎng)的供電質(zhì)量。所以尋找干擾抑制的方法是很必要的。 3
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CISCO_服務(wù)器設計中的EMI和SI問(wèn)題

　　統時(shí)鐘設計和布線(xiàn)　　(以減小時(shí)鐘傾斜(Skew)導致的時(shí)鐘余裕 (timing margin) 受損)　　時(shí)鐘走線(xiàn)首先要注意避免阻抗不連續，在驅動(dòng)器端的時(shí)鐘線(xiàn)設定阻抗為Z0為40Ω，然后每條線(xiàn)扇出成一對線(xiàn)，每條的Z0基本加倍，使信號反射減至最小。時(shí)鐘傾斜(timing skew)的問(wèn)題是通過(guò)仿真解決，并將走線(xiàn)布到同一層上，管腳上時(shí)序信息是經(jīng)過(guò)測試驗證過(guò)的?！　　　?yōu)化電源層結構，防止電源的電磁輻射影響信號層　　(減小耦合噪聲，△I噪聲，模式轉換噪聲mode conversion noise)　　在開(kāi)始
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板級設計中控制共模輻射EMI的主要步驟

電磁干擾(EMI)指電路板發(fā)出的雜散能量或外部進(jìn)入電路板的雜散能量，它包括：傳導型(低頻)EMI、輻射型(高頻)EMI、ESD(靜電放電)或雷電引起的EMI。傳導型和輻射型EMI具有差模和共模表現形式。　　在處理各種形式的EMI時(shí)，必須具體問(wèn)題具體分析。對于ESD和雷電引起的EMI，必須利用EMI抑制器件在ESD和雷電進(jìn)入系統之前予以消除，防止由此導致的系統工作異?；驌p壞。對傳導型或低頻EMI，不論是接收還是發(fā)送，都要在電源線(xiàn)上和電路板輸入/輸出口的傳輸線(xiàn)路上采取濾波措施。輻射型EMI的
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HOLTEK新推出Low Speed USB OTP MCU --- HT82M9AE/ HT82M9BE

HOLTEK繼USB MCU產(chǎn)品HT82M99E/HT82M99A又開(kāi)發(fā)出HT82M9AE/HT82M9BE USB OTP MCU產(chǎn)品，使得產(chǎn)品更加完整。對於PC週邊廠(chǎng)商所需USB相關(guān)產(chǎn)品設計，可說(shuō)是一應俱全，方便設計，價(jià)位又有競爭力。盛群USB相關(guān)系列產(chǎn)品安規、相容性好、領(lǐng)先國內相關(guān)競爭廠(chǎng)商、可協(xié)助客戶(hù)快速開(kāi)發(fā)、承接國內外客戶(hù)訂單。 HT82M9AE/HT82M9BE --- Low Speed USB&nbs
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