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iar embedded workbench for risc-v 文章 進(jìn)入iar embedded workbench for risc-v技術(shù)社區

Lark Board評估板 Cyclone V SoC的專(zhuān)用舞臺

  • 隨著(zhù)FPGA技術(shù)的高速發(fā)展，芯片規模不斷提升，帶來(lái)了更強的性能的同時(shí)，也實(shí)現了更低的功耗。FPGA憑借其強大的并行信號處理能力，在應對控制復雜度低、數據量大的運算時(shí)具有較強的優(yōu)勢。但是在復雜算法的實(shí)現上，FPGA
  • 關(guān)鍵字： FPGA  RISC  英蓓特  

STM32學(xué)習筆記:在IAR中建立FWlib 3.0項目

  • 　　開(kāi)發(fā)工具：JLink V7.0 　　開(kāi)發(fā)環(huán)境：IAR5.3 　　第一步：下載函數庫 　　從ST官方網(wǎng)站(http://www.st.com/stonline/products/support/micro/files/um0427.zip)下載STM32 V3.0固件函數庫。 　　第二步：復制庫文件 　　將下載的軟硬件函數庫解壓后，將目錄中的【Libraries】目錄拷貝到您的項目目錄中，然后【Project】目錄下的【Template】目錄下的main.c、stm32f10x_conf.h、
  • 關(guān)鍵字： STM32  IAR  

IAR使用小技巧之群英薈萃

  • IAR使用小技巧之群英薈萃,咳咳，本篇的名字起的有點(diǎn)文藝了以致于都有點(diǎn)向下一階段過(guò)渡了(普通、文藝、然后...大家都懂的，呵呵)。一說(shuō)“群英薈萃”可能大多數人的第一反應是“嘛群英薈萃啊，還蘿卜開(kāi)會(huì )呢”(冒昧改裝下趙
  • 關(guān)鍵字： IAR  使用技巧  

IAR使用技巧――如何使用合適的版本打開(kāi)IAR工程

  • IAR使用技巧――如何使用合適的版本打開(kāi)IAR工程,0.前言在與ARM Cortex M3/4有關(guān)的開(kāi)發(fā)中，經(jīng)常使用IAR和Keil這樣的集成IDE。IAR相比于Keil，經(jīng)常出現大版本的更新，這就導致的以前建立的工程不能使用新版本打開(kāi)。最典型的情況便是IAR 5.5建立的工程使用IAR 6.3打
  • 關(guān)鍵字： IAR  使用技巧  

小技巧之IAR生成和調用Kinetis函數庫

  • 小技巧之IAR生成和調用Kinetis函數庫, 前段時(shí)間有博友問(wèn)到在IAR環(huán)境下隱藏原始代碼開(kāi)放功能性接口的方法，其實(shí)就是庫(Library)的概念了，算是一種半開(kāi)源的方式吧，估計應該是公司里常用到一種開(kāi)發(fā)模式吧，不同分工團隊部門(mén)之間最后的整合都是通過(guò)標準的接
  • 關(guān)鍵字： IAR  使用技巧  

Windows Embedded開(kāi)發(fā)者更新可供下載

  • Windows Embedded開(kāi)發(fā)者更新(Windows Embedded Developer Update) 從今天起已經(jīng)可供下載了。Windows Embedded開(kāi)發(fā)者更新為開(kāi)發(fā)者們提供了一種簡(jiǎn)便的方法發(fā)現、下載和
  • 關(guān)鍵字： Windows  Embedded  

三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

  • 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤(pán)驅動(dòng)器已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統的NAND存儲芯片相比，具有包
  • 關(guān)鍵字： 3D垂直閃存  V-NAND  固態(tài)硬盤(pán)   

三星3D V-NAND固態(tài)盤(pán)加速企業(yè)閃存進(jìn)化

  • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應用、高可靠的固態(tài)盤(pán)存儲--V-NAND固態(tài)盤(pán)。最新用于固態(tài)盤(pán)V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升，節省電力消耗，并提高了急需
  • 關(guān)鍵字： 三星  V-NAND  3D  固態(tài)盤(pán)   

小技巧之簡(jiǎn)單移植Kinetis IAR開(kāi)發(fā)框架模板

  • 小技巧之簡(jiǎn)單移植Kinetis IAR開(kāi)發(fā)框架模板, 最近有博友在博客里留言反應關(guān)于在IAR舊模板上直接新建工程的問(wèn)題，呵呵，這也是我的失誤，在以前寫(xiě)的那篇《從零入手Kinetis系列開(kāi)發(fā)(三)之建立自己風(fēng)格的IAR編程結構》當中把IAR模板的建立說(shuō)的有點(diǎn)太過(guò)麻煩了以致于
  • 關(guān)鍵字： IAR  使用技巧  

IAR Systems創(chuàng )新性功耗調試技術(shù)現已支持Renesas R

  • IAR Systems® 今日宣布IAR Embedded Workbench®的創(chuàng )新性功耗調試功能現已能用于瑞薩電子RX系列微控制器架構。通過(guò)在嵌入式軟件代碼中使用功耗調試，可
  • 關(guān)鍵字： IAR  功耗調試  Renesas  RX微控制器  

IAR for AVR 學(xué)習筆記（1）--數據類(lèi)型

  • 　　數據類(lèi)型(編譯器支持 ISO/ANSI C 基本數據類(lèi)型和一些附加數據類(lèi)型) 　　1.1. 整型數據 　　   　　bool 數據類(lèi)型在C++語(yǔ)言里是默認支持的。如果你在C代碼的頭文件里包含stdbool.h, bool數據類(lèi)型也可以使用在C語(yǔ)言里。也可以使用布爾值 false和 true。 　　1.2.浮點(diǎn)數據類(lèi)型： 　　   　　1.3.指針類(lèi)型：指針有數據指針和函數指針。 　　1、數據指針： 　　數據指針的大小為8位，16位，24位。定義為：在整型
  • 關(guān)鍵字： IAR  AVR  

IAR for AVR 學(xué)習筆記（1）--數據類(lèi)型

  • 　　數據類(lèi)型(編譯器支持 ISO/ANSI C 基本數據類(lèi)型和一些附加數據類(lèi)型) 　　1.1. 整型數據 　　   　　bool 數據類(lèi)型在C++語(yǔ)言里是默認支持的。如果你在C代碼的頭文件里包含stdbool.h, bool數據類(lèi)型也可以使用在C語(yǔ)言里。也可以使用布爾值 false和 true。 　　1.2.浮點(diǎn)數據類(lèi)型： 　　   　　1.3.指針類(lèi)型：指針有數據指針和函數指針。 　　1、數據指針： 　　數據指針的大小為8位，16位，24位。定義為：在整型
  • 關(guān)鍵字： IAR  AVR   

MSP430單片機開(kāi)發(fā)總結

  • 　　1.#i nclude<>指要在編輯器設定目錄下，#i nclude""指的是在當前工程目錄下。 　　2.要調用另一個(gè)文件中的函數，要把這個(gè)函數文件放到當前工程目錄下，并且在工程中添加此文件。 　　3.命名中不能有-,比如:byq-ee會(huì )認為是錯誤的，要用下劃線(xiàn)。 　　4.用IAR軟件仿真時(shí)，可以加入變量，如果是查看I/O信息只需加入PXIN,PXOUT即可。 　　5.IAR在處理字符時(shí)，要注意，是字符處理結尾標志，他和其他編輯軟件是不同的。比如我們長(cháng)用字符處理
  • 關(guān)鍵字： MSP430  IAR  

三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密

  • 　　備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會(huì )先睹為快。 　　三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強調將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預計會(huì )在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實(shí)現了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現其蹤影(如圖1)。 　　   　　圖1：三星T3 2TB S
  • 關(guān)鍵字： 三星  V-NAND  

三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展？

  • 　　三星公司已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)其48層(即單NAND內48層單元，屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片，預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設備當中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過(guò)引線(xiàn)鍵合技術(shù)實(shí)現彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著(zhù)每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
  • 關(guān)鍵字： 三星  V-NAND  
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iar embedded workbench for risc-v介紹

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