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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> htv150a 薄膜

非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池簡(jiǎn)介

  • 開(kāi)發(fā)太陽(yáng)能電池的兩個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題就是:提高轉換效率和 降低成本。由于非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的成本低,便于大規模生產(chǎn),普遍受到人們的重視并得到迅速發(fā)展,其實(shí)早在70年代初,Carlson等就已經(jīng)開(kāi)始了對非晶硅電池的研制
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多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池簡(jiǎn)介

  • 通常的晶體硅太陽(yáng)能電池是在厚度350-450mu;m的高質(zhì)量硅片上制成的,這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實(shí)際消耗的硅材料更多。為了節省材料,人們從70年代中期就開(kāi)始在廉價(jià)襯底上沉積多晶硅薄膜,但由于生
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半導體所證實(shí)單層二硫化鉬谷選擇圓偏振光吸收性質(zhì)

  • 《自然—通訊》(Nature Communications)最近發(fā)表了北京大學(xué)國際量子材料科學(xué)中心(馮濟研究員和王恩哥教授為通訊作者)與中國科學(xué)院物理研究所和半導體研究所合作的文章Valley-selective circular dichroism of monolayer molybdenum disulphide。這項研究工作首次從理論上預言,并從實(shí)驗上證實(shí)了單層二硫化鉬的谷選擇圓偏振光吸收性質(zhì)。 對新型材料新奇量子特性的探索在現代科學(xué)研究中具有重要意義,它不但幫助人們認識物理學(xué)規律
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薄膜電路技術(shù)在T/R組件中的應用

  • 1.引言采用薄膜技術(shù)來(lái)制造薄膜電路是薄膜領(lǐng)域中一個(gè)重要分支。薄膜電路主要特點(diǎn):制造精度比較高(薄膜線(xiàn)寬和線(xiàn)間距較小),可實(shí)現小孔金屬化,可集成電阻、電容、電感、空氣橋等無(wú)源元件,并且根據需要,薄膜電路可以
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微波器件薄膜化技術(shù)難點(diǎn)

  • 微波器件的薄膜化過(guò)程中會(huì )遇到很多的技術(shù)難點(diǎn),本文以環(huán)形器薄膜化過(guò)程中遇到的技術(shù)難點(diǎn)為例來(lái)分析微波器件薄膜化過(guò)程中所遇到的共性與個(gè)性的技術(shù)難點(diǎn)。工作在微波波段(300~300000兆 赫)的器件。它的電子產(chǎn)品都在向
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薄膜電容器模組介紹及其在感應加熱中的應用

  • 1、引言:感應加熱技術(shù),早期應用在家用電磁爐上.后來(lái)隨著(zhù)高效,節能及環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)越來(lái)越顯著(zhù),加上產(chǎn)品技術(shù)成熟及使用穩定,感應加熱技術(shù)逐漸開(kāi)始往工業(yè)領(lǐng)域發(fā)展.從早期的單相2KW,到現在的三相100KW及以上,在短短的幾年時(shí)
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薄膜太陽(yáng)電池――太陽(yáng)能的利用

  • 硅太陽(yáng)電池的應用日趨廣泛, 但昂貴的原材料成為發(fā)展的瓶頸. 薄膜太陽(yáng)電池由于只需使用一層極薄的光電材料,材料使用非常少。并可使用軟性襯底,應用彈性大,如果技術(shù)發(fā)展成熟,其市場(chǎng)面將相當寬闊。本文就迄今被人們
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光伏可以靠薄膜走出困境?

  •   本來(lái)是朝陽(yáng)產(chǎn)業(yè)的太陽(yáng)能光伏企業(yè),從去年開(kāi)始普遍遭遇嚴冬。不僅一批后進(jìn)入的中小企業(yè)紛紛關(guān)門(mén)倒閉,就是無(wú)錫尚德等龍頭企業(yè),也日子艱難,出現嚴重虧損。   每一輪經(jīng)濟調整期,受影響最嚴重的多是傳統產(chǎn)業(yè)。比如經(jīng)濟速度放緩后,首當其沖的是鋼鐵、原材料等行業(yè),而新興產(chǎn)業(yè)往往會(huì )成為避風(fēng)港。而此輪調整,前幾年最被看好的新能源領(lǐng)域卻成為第一撥受到?jīng)_擊的產(chǎn)業(yè),值得反思。面臨“前狼后虎”局面的中國光伏制造企業(yè),如何才能擺脫困境?   根本出路是核心技術(shù)   光伏企業(yè)目前困境重重,主要是因為歐美
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有機薄膜太陽(yáng)能電池的結構與制作技術(shù)

  • 1前言 作為典型可再生能源的太陽(yáng)能光伏發(fā)電,近年來(lái),面向各個(gè)產(chǎn)業(yè)及至人民的生活、住宅,正急速的推廣應用。但目前的單晶硅太陽(yáng)電池,難于大幅度降低成本。單晶硅太陽(yáng)電池的原料硅占到制造成本的30%以上。因此,對原
  • 關(guān)鍵字: 制作  技術(shù)  結構  太陽(yáng)能電池  薄膜  有機  

用邏輯電源電平調節薄膜晶體管液晶顯示(TFT LCD)平板

  • 所有薄膜晶體管液晶顯示(TFT LCD)平板顯示器都至少需要一個(gè)適當調節的VCOM信號以便為平板顯示器的背板提供一個(gè)參考點(diǎn)。VCOM電源電壓的準確值隨不同平板顯示器而變化,因此必須在出廠(chǎng)時(shí)設置VCOM值以便與每一個(gè)顯示屏的
  • 關(guān)鍵字: 液晶顯示  TFT  LCD  平板  晶體管  薄膜  電源  電平  調節  邏輯  

薄膜晶體管液晶顯示器技術(shù)

  • 薄膜晶體管液晶顯示器技術(shù) TFT-LCD結構。薄膜晶體管液晶顯示器由顯示屏、背光源及驅動(dòng)電路三大核心部件組 ...
  • 關(guān)鍵字: 薄膜  晶體管  液晶顯示器  

PLD技術(shù)在功能薄膜材料研究中的應用

  • 薄膜材料已在半導體材料、超導材料、生物材料、微電子元件等方面得到廣泛應用。為了得到高質(zhì)量的薄膜材料,脈沖激光沉積技術(shù)受到了廣泛的關(guān)注。本文介紹了脈沖激光沉積(PLD)薄膜技術(shù)的原理及特點(diǎn),分析了脈沖激光沉積
  • 關(guān)鍵字: PLD  薄膜  材料  中的應用    

用邏輯電源電平調節薄膜晶體管液晶顯示(TFT LCD)平板顯

  • 用邏輯電源電平調節薄膜晶體管液晶顯示(TFT LCD)平板顯示器的vcom信號所有薄膜晶體管液晶顯示(TFT LCD)平板顯示器都至少需要一個(gè)適當調節的VCOM信號以便為平板顯示器的背板提供一個(gè)參考點(diǎn)。VCOM電源電壓的準確值隨不
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多晶硅薄膜的制備方法

  •  1 前言  多晶硅薄膜材料同時(shí)具有單晶硅材料的高遷移率及非晶硅材料的可大面積、低成本制備的優(yōu)點(diǎn)。因 ...
  • 關(guān)鍵字: 多晶硅  薄膜  

Solarbuzz:2011年全球前十大太陽(yáng)能電池廠(chǎng)商排名

  •   2012年2月8日—根據最新出版的NPD Solarbuzz光伏設備季度報告指出,2011年中國大陸和臺灣太陽(yáng)能電池廠(chǎng)商保持優(yōu)勢地位,在前十名中占據了八席。   2011年前十大晶硅和薄膜電池廠(chǎng)商在排名上與其12個(gè)月前的名次僅有少許變化,排行榜上唯一一家薄膜廠(chǎng)商First Solar奪得了第一的位置。這十大太陽(yáng)能電池廠(chǎng)商的產(chǎn)量占據了全球總產(chǎn)量的40%,與2010年相比下降了4個(gè)百分點(diǎn)。   盡管一些電池廠(chǎng)商因缺乏競爭力而逐步退出,但前十大廠(chǎng)商產(chǎn)量占比卻也有所下降,這個(gè)現象雖然看起來(lái)較為
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