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esd 文章 進(jìn)入esd技術(shù)社區
PulseGuard ESD抑制器在便攜式設備中的應用
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： Littelfuse公司 HDMI ESD
淺析ESD防護與ESD防護器件
- 日常生活中，ESD (Electro-Static Discharge，靜電放電)對于我們來(lái)說(shuō)是一種常見(jiàn)的現象，然而對電子產(chǎn)品而言，ESD往往是致命的——它可能導致元器件內部線(xiàn)路受損，直接影響產(chǎn)品的正常使用壽命，甚至造成產(chǎn)品的損壞。因此，ESD防護一直以來(lái)都是工程師們的工作重點(diǎn)。對于剛開(kāi)始職業(yè)生涯的電子工程師而言，在掌握專(zhuān)業(yè)技能之前通常都要接受一些ESD相關(guān)知識的培訓，足見(jiàn)ESD防護的地位與重要性。 圖1 電子顯微鏡下IC內部損毀的照片 一般，ESD保護一般通過(guò)
- 關(guān)鍵字： ESD TVS 安森美
Vishay推出采用LLP1713封裝的8二極管ESD保護陣列
- Vishay推出在超小型無(wú)鉛 LLP1713 封裝中整合了八個(gè)二極管的ESD 保護陣列。 憑借 0.55mm 的超薄厚度，VESD05A8A-HNH在提供 ESD 保護的同時(shí)可節省面向移動(dòng)計算、移動(dòng)通信、消費類(lèi)、工業(yè)、汽車(chē)及醫療應用的便攜式電子設備中的板面空間。 這種新型器件可在雙向非對稱(chēng) (BiAs) 模式下保護八條信號或數據線(xiàn)，并且還可在雙向對稱(chēng) (BiSy) 模式下作為七線(xiàn)保護器件。該 ESD 二極管陣列具有 30pF 的低典型電容，以及在 5V 時(shí)不到 1uA 的低最大漏電電流。
- 關(guān)鍵字： ESD Vishay 單片機 封裝
掌握ESD保護技巧，提高電子產(chǎn)品可靠性
- 電子產(chǎn)品設計中必須遵循抗靜電釋放(ESD)的設計規則，因為大多數電子產(chǎn)品在生命周期內99%的時(shí)間都會(huì )處于一個(gè)ESD環(huán)境中，ESD干擾會(huì )導致設備鎖死、復位、數據丟失或可靠性下降。在ESD的破壞中，靜電會(huì )對I/O端口造成毀滅性損害，有可能造成數據位重影、產(chǎn)品損壞直至造成電子設備“硬故障”或元器件損壞。所以工程師需要考慮設計中的ESD問(wèn)題并掌握解決之道。 電子工程專(zhuān)輯網(wǎng)站邀請安森美半導體集成電源器件部亞太區市場(chǎng)策略經(jīng)理吳錦嘉賓，主持了有關(guān)《便攜式和USB應用中的ESD保護》的網(wǎng)上專(zhuān)題研討，以幫助工程
- 關(guān)鍵字： ESD 單片機 嵌入式系統
TVS器件信息設備ESD防護中的應用
- 引言 隨著(zhù)電子信息技術(shù)的迅速發(fā)展，當前半導體器件日益趨向小型化、高密度和多功能化，特別是像時(shí)尚消費電子和便攜式產(chǎn)品等對主板面積要求比較嚴格的應用，很容易受到靜電放電(ESD)的影響。電路保護元件的選擇根據所要保護的布線(xiàn)情況、可用的電路板空間以及被保護電路的電特性來(lái)決定。因為利用先進(jìn)工藝技術(shù)制造的IC電路里氧化層比較薄，柵極氧化層更易受到損害。而且一些采用深亞微米工藝和甚精細線(xiàn)寬布線(xiàn)的復雜半導體功能電路，對電路瞬變過(guò)程的影響更加敏感，這將導致上述問(wèn)題加重。因此要求保護器件必須具備低箝位電壓以提供有效的ESD
- 關(guān)鍵字： ESD TVS 電源技術(shù) 靜電放電 模擬技術(shù)
飛兆半導體µSerDes™產(chǎn)品具有ESD保護
- 飛兆半導體公司宣布推出基于 µSerDes™ 技術(shù)的重要強化產(chǎn)品FIN224AC。與備受歡迎的前代產(chǎn)品FIN24AC相比，全新的FIN224AC占用相同的占位面積和基礎架構，但卻提供增強的靜電放電 (ESD) 保護功能并能降低EMI。對任何手持式電子產(chǎn)品而言，ESD損害都是重要的考慮問(wèn)題。飛兆半導體將FIN24AC的8kV ESD保護性能提升至 FIN224AC的15kV ESD，因而解決了這一難題。另一項改進(jìn)
- 關(guān)鍵字： µ SerDes™ 15kV ESD 保護 單片機 電源技術(shù) 飛兆半導體 模擬技術(shù) 嵌入式系統
EFT/ESD問(wèn)題的測量和定位
- 大部分電子產(chǎn)品需要通過(guò)電快速瞬變脈沖群（EFT）（根據IEC61000-4-4）和靜電放電（ESD）(根據IEC61000-4-2)等項目的標準測試。EFT和ESD是兩種典型的突發(fā)干擾，EFT信號單脈沖的峰值電壓可高達4kV，上升沿5ns。接觸放電測試時(shí)的ESD信號的峰值電壓可高達8kV，上升時(shí)間小于1ns。這兩種突發(fā)干擾，都具有突發(fā)、高壓、寬頻等特征。 在進(jìn)行標準的EFT/ESD測試時(shí)，把干擾脈沖從設備外部耦合到內部，同時(shí)監視設備的工作狀態(tài)。如果設備沒(méi)有通過(guò)這些標準的測試，測試本身幾乎不能提
- 關(guān)鍵字： EFT/ESD 測量 測試
ST推出ESD二極管陣列微型封裝
- 意法半導體(ST)日前推出一系列ESD二極管陣列，采用外廓極小的微型引線(xiàn)框架封裝。該設計可保護易受靜電攻擊的設備，防止過(guò)壓瞬變損壞設備或降低性能。由于封裝尺寸極小，新器件的ESD保護設計適用于手機、數碼相機、MP3播放器等便攜應用以及計算機和電信產(chǎn)品，并都提供1到5線(xiàn)的ESD保護功能。 ESDALC6V1M3是一個(gè)在SOT883封裝內集成了兩個(gè)ESD二極管的低電容器件，適用于各種應用的1線(xiàn)或2線(xiàn)ESD保護功能。該二極管電容為7pF(Vr為2.5V), 因此適合高速數據線(xiàn)路或其它I/O接口。
- 關(guān)鍵字： ESD ST 二極管 封裝
ESD保護器件產(chǎn)品詳解
- 泰科電子旗下的Raychem電路保護部推出PESD0402和0603靜電放電（ESD）保護器件產(chǎn)品。PESD保護器件專(zhuān)為高速數據傳輸應用中的輸入/輸出接口保護而設計，能使電子設備中的敏感電路免受靜電放電影響。 Raychem的PESD器件優(yōu)于傳統的保護器件，比如齊納二極管和多層壓敏電阻器（MLV）。傳統保護器件，不能在不引起信號質(zhì)量下降或失真的情況下持續應用于高速數據傳輸中。另一方面，瞬態(tài)電壓抑制（TVS）二極管和微型氣體放電管對目前體積日趨減小的緊湊信息設備而言，顯得過(guò)大或過(guò)于昂貴。 R
- 關(guān)鍵字： ESD
減小ESD引起的停機時(shí)間
- 減小ESD引起的停機時(shí)間 半導體器件常常因靜電放電而失效。弄清楚失效的根源并遵守設計規則，就有助于避免這種失效?！ SD（靜電放電）是導致電子器件失 效的主要原因，它可以在任何階段——從制造到測試、組裝、生產(chǎn)、現場(chǎng)運行以及現場(chǎng) PC 裝配等——影響電子器件的功能。專(zhuān)家估計，1994 年全世界電子行業(yè)因 ESD 造成的損失超過(guò) 900 億美元（參考文獻 1）。ESD 的發(fā)生原因是電荷在某一表面的累積，如摩擦生電。但是，由于電子產(chǎn)品的快速小型化，導致器件的幾何尺寸縮小，其中包括層厚度，因此這些高密
- 關(guān)鍵字： ESD
esd介紹
ESD的意思是“靜電釋放”的意思，它是英文：Electro-Static discharge 的縮寫(xiě)
ESD知識介紹
靜電是一種客觀(guān)的自然現象，產(chǎn)生的方式多種，如接觸、摩擦等。靜電的特點(diǎn)是高電壓、低電量、小電流和作用時(shí)間短的特點(diǎn)。
人體自身的動(dòng)作或與其他物體的接觸，分離，摩擦或感應等因素，可以產(chǎn)生幾千伏甚至上萬(wàn)伏的靜電。
靜電在多個(gè)領(lǐng)域造成嚴重危害。摩擦起電和人體靜電是電子工業(yè)中的兩 [ 查看詳細 ]
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