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汽車(chē)圖像傳感器在提高行車(chē)安全和駕乘體驗方面的應用

  •   近年來(lái),在政府對 汽車(chē)安全法令的貫徹和實(shí)施、消費者 駕乘體驗及自動(dòng)駕駛的趨勢推動(dòng)下,汽車(chē) 圖像傳感器領(lǐng)域呈爆發(fā)式增長(cháng)。汽車(chē)圖像傳感有著(zhù)廣泛的應用領(lǐng)域,具有卓越性能和先進(jìn)的圖像處理能力的圖像傳感器在提高 行車(chē)安全的同時(shí)還提升用戶(hù)駕乘體驗,成為近年來(lái)汽車(chē)領(lǐng)域的炙手可熱的技術(shù)。預測顯示,2014-2018年間汽車(chē)CMOS 傳感器市場(chǎng)的收入年復合增長(cháng)率(CAGR)將達到28%。   汽車(chē)圖像傳感器主要應用領(lǐng)域   汽車(chē)圖像傳感器的應用非常廣泛,包括用于視覺(jué)應用如倒車(chē)影像、前視、后視、俯視、全景泊車(chē)影像、車(chē)
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索尼仍是CMOS感光元件市場(chǎng)絕對領(lǐng)導者

  •   對于消費者而言,智能手機的拍照能力依然是決定購買(mǎi)的重要因素之一,這也使得手機攝像頭元件制作成為目前一個(gè)重要且快速增長(cháng)的產(chǎn)業(yè)。在未來(lái)5年里,CMOS感光元件產(chǎn)業(yè)的價(jià)值將達到190億美元。而就目前而言,索尼依然是CMOS感光元件市場(chǎng)的絕對領(lǐng)導者。   根據調查統計,CMOS感光元件市場(chǎng)在2015年總市值達到67億美元,而單單索尼就控制著(zhù)其中35%的市場(chǎng)份額(36億美元)。而其余的競爭者都無(wú)法撼動(dòng)索尼的地位,不管是三星(19%)、OmniVision、On Semiconductor、佳能、東芝還是松下。
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MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置

  •   在28nm晶片制程節點(diǎn)的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競賽上,自旋力矩轉移磁阻式隨機存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。   比利時(shí)研究機構IMEC記憶體部門(mén)總監Arnaud Furnemont指出,雖然電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類(lèi)型的記憶器也都有其支持者,但這些記憶體都存在著(zhù)微縮的問(wèn)題,而難以因應28nm CMOS制程的要求。   28nm平面CMOS節點(diǎn)可望具有更長(cháng)的壽命,以因應更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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Sony暗示iPhone相機模組被LG搶單?坦承錯估CMOS需求

  •   Sony 24日盤(pán)后公布了因熊本強震影響而一度擱置的今年度(2016年度、2016年4月-2017年3月)財測,而熊本強震雖對Sony營(yíng)益帶來(lái)1,150億日圓的影響,不過(guò)Sony仍預估今年度營(yíng)益有望呈現增長(cháng),也帶動(dòng)Sony 25日股價(jià)大漲?! 「鶕螌?shí)XQ全球贏(yíng)家系統報價(jià),截至臺北時(shí)間25日上午8點(diǎn)18分為止,Sony飆漲5.47%至3,044日圓,稍早最高漲至3,058日圓、創(chuàng )4月21日以來(lái)新高水準?! 〔贿^(guò)全球智能手機成長(cháng)減速,也對Sony核心事業(yè)之一的元件事業(yè)帶來(lái)沖擊,Sony也坦承嚴重錯估了使
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CCD與CMOS技術(shù),我們居然還有這么多不知道

  •   在工業(yè)應用中成像系統的廣泛采用持續擴展,不僅由新的影像感測器技術(shù)和產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)所推動(dòng),還由支援平臺的進(jìn)步所推動(dòng),如電腦功率和高速數據介面。今天,成像系統的使用在各種領(lǐng)域很常見(jiàn),如配線(xiàn)檢查、交通監測/執法、監控和醫療及科學(xué)成像,由于影像感測器技術(shù)的進(jìn)步,使成像性能、讀取速度和解析度提高。隨著(zhù)影像感測器現在采用電荷耦合元件(CCD)和互補式金屬氧化物半導體(CMOS)技術(shù)設計,審視這兩大平臺對于選擇最適合特定應用的影像感測器很有幫助?! ‰娮映上窦夹g(shù)的發(fā)展始于上世紀60年代,諾貝爾獎得主Boyle和Smit
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如何提高抗干擾能力和電磁兼容性

  •   在研制帶處理器的電子產(chǎn)品時(shí),如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?文章為大家總結了一些方法?! ∫?、下面的一些系統要特別注意抗電磁干擾:  1、微控制器時(shí)鐘頻率特別高,總線(xiàn)周期特別快的系統?! ?、系統含有大功率,大電流驅動(dòng)電路,如產(chǎn)生火花的繼電器,大電流開(kāi)關(guān)等?! ?、含微弱模擬信號電路以及高精度A/D變換電路的系統?! 《?、為增加系統的抗電磁干擾能力采取如下措施:  1、選用頻率低的微控制器:  選用外時(shí)鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波,方波中的高頻成份比
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工業(yè)成像的CCD及CMOS技術(shù)之對比

  • 在比較CCD和CMOS技術(shù)時(shí)試圖確定一個(gè)“贏(yíng)家”,但這真的對兩者都有損公正,因為每種技術(shù)都是獨一無(wú)二的,提供不同的終端用戶(hù)優(yōu)勢,東西好不好要看怎么用。
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模擬IC與數字IC異同

  •   處理連續性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號的IC被稱(chēng)為模擬IC。模擬IC處理的這些信號都具有連續性,可以轉換為正弦波研究。而數字IC處理的是非連續性信號,都是脈沖方波?! ∧MIC按技術(shù)類(lèi)型來(lái)分有只處理模擬信號的線(xiàn)性IC和同時(shí)處理模擬與數字信號的混合IC。模擬IC按應用來(lái)分可分為標準型模擬IC和特殊應用型模擬 IC。標準型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調節與參考對比(VoltageRegulator/Reference)、信號界面(Interface)、數據轉換(Data
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CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端處理方法

  •   本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現多余輸入端的解決方法,并且對每種情況進(jìn)行了較為詳細的說(shuō)明,希望大家能從本文得到有用的知識,解決輸入端多余的問(wèn)題?! MOS門(mén)電路  CMOS門(mén)電路一般是由MOS管構成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無(wú)電流,所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件,基于這一特點(diǎn),輸入端信號易受外界干擾,所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應采用以下方法:  與門(mén)和與非門(mén)電路  由
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干貨分享:工程師教你如何設計D類(lèi)放大器

  •   D類(lèi)放大器首次提出于1958年,近些年已逐漸流行起來(lái)。那么,什么是D類(lèi)放大器?它們與其它類(lèi)型的放大器相比如何? 為什么D類(lèi)放大器對于音頻應用很有意義?設計一個(gè)“優(yōu)質(zhì)”D類(lèi)音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問(wèn)題?! ∫纛l放大器背景  音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實(shí)、高效和低失真的輸入音頻信號。音頻頻率范圍約為20 Hz~20 kHz,因此放大器必須在此頻率范圍內具有良好的頻率響應(當驅動(dòng)頻帶有限的揚聲器時(shí)頻率
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對比工業(yè)成像中的CCD及CMOS技術(shù)

  • 在工業(yè)應用的成像系統中,CCD是采用定制的半導體工藝生產(chǎn),高度優(yōu)化于成像應用,并需要外部電路將模擬輸出電壓轉換為數字信號用于后續處理。具有高效的電子快門(mén)能力、寬動(dòng)態(tài)范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端,而是放置晶體管在每一像素內,來(lái)進(jìn)行電荷——電壓轉換。這令電壓在整個(gè)器件中傳輸,使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
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什么是TTL電平、CMOS電平??jì)烧叩膮^別

  •   TTL電平信號對于計算機處理器控制的設備內部的數據傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強型PMOS晶體管和增強型NMOS管按照互補對稱(chēng)形式連接的,下面來(lái)說(shuō)一下兩者的區別?! ∈裁词荰TL電平  TTL電平信號被利用的最多是因為通常數據表示采用二進(jìn)制規定,+5V等價(jià)于邏輯"1",0V等價(jià)于邏輯"0",這被稱(chēng)做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號系統,這是計算機處理器控制的設備內部各部分之間通信的標準技術(shù)?! TL電平信號對于計算機處理器控制
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芯片光傳輸突破瓶頸 頻寬密度增加10~50倍

  •   整合光子與電子元件的半導體微芯片可加快資料傳輸速度、增進(jìn)效能并減少功耗,但受到制程方面的限制,一直無(wú)法廣泛應用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文,表示已成功利用現有CMOS標準技術(shù),制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。   據HPC Wire網(wǎng)站報導,這顆整合7,000萬(wàn)個(gè)電晶體和850個(gè)光子元件的芯片,采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作,與現有的設計和電子設計工具均相容,因此可以大量生產(chǎn)。芯片內建的光電發(fā)射器和接收器
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使用CMOS集成電路需要注意的幾個(gè)問(wèn)題

  •   集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi),TTL以速度見(jiàn)長(cháng),CMOS以功耗低而著(zhù)稱(chēng),其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí),除了認真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料,了解其引腳分布及極限參數外,還應注意以下幾個(gè)問(wèn)題?! ?、電源問(wèn)題  (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V,但當應用電路中有門(mén)電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線(xiàn)性放大)時(shí),最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬,故使用不穩壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
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關(guān)于電路的那些常識性概念

  •   一.TTL  TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(mén)(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V電源?! ?.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol  Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V  2.輸入高電平和輸入低電平  Uih≥2.0V,Uil≤0.8V  二.CMOS  CMOS電路是電壓控制器件,輸入電阻極大,對于干擾信號十分敏感,因此不用的輸入端不應開(kāi)路,接到地或者電源上。CMOS電路的優(yōu)點(diǎn)是噪聲容限較寬,靜態(tài)功耗很小?! ?/li>
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