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stm32l 文章 進(jìn)入stm32l技術(shù)社區
技術(shù)細節：STM32L如何實(shí)現超低功耗微？
- 意法半導體的EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺是STM32L取得業(yè)內領(lǐng)先的能效性能的關(guān)鍵。這個(gè)技術(shù)平臺也被廣泛用于意法半導體的8位微控制器STM8L系列產(chǎn)品。EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺基于意法半導體獨有的130nm制造工藝，為實(shí)現超低的泄漏電流特性，意法半導體對該平臺進(jìn)行了深度優(yōu)化。在工作和睡眠模式下，EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺可以最大限度提升能效。此外，該平臺的內嵌閃存采用意法半導體獨有的低功耗閃存技術(shù)。這個(gè)平臺還集成了直接訪(fǎng)存(DMA)支持功能，在應用系統運行過(guò)程中關(guān)閉
- 關(guān)鍵字： STM32L 低功耗
ST發(fā)布超低功耗的8位和32位微控制器技術(shù)平臺
- 微控制器的全球領(lǐng)導廠(chǎng)商意法半導體(紐約證券交易所代碼：STM)，發(fā)布用于制造8位和32位微控制器的全新超低功耗技術(shù)平臺的細節。新的技術(shù)平臺將有助于新一代電子產(chǎn)品降低功耗，滿(mǎn)足不斷升級的能效標準的要求，延長(cháng)電池驅動(dòng)設備的工作時(shí)間。滿(mǎn)足這些日益提高的標準需要全方位考慮微控制器的設計和制程技術(shù)，進(jìn)行全面的最大限度的改進(jìn)。 新平臺采用130nm制程，意法半導體對這個(gè)平臺進(jìn)行了深度優(yōu)化，邏輯功能采用超低漏電流晶體管，模擬功能采用低壓晶體管，同時(shí)選用創(chuàng )新的低功耗嵌入式存儲器、新的低壓低功耗標準外設和創(chuàng )新的電
- 關(guān)鍵字： ST 微控制器 電池驅動(dòng) 超低漏電流晶體管 低壓晶體管 STM8L STM32L
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