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意法半導體高功率電子熔斷器集成增值保護功能,提高安全性和可靠性

- 意法半導體STEF01可編程電子熔斷器集成低導通電阻RDS(ON) 的VIPower?MOSFET功率管,在8V到48V的寬輸入電壓范圍內,能夠維持高達4A的連續電流,并且插入損耗低,將動(dòng)作快速的過(guò)載保護的優(yōu)勢延續到額定功率更高的應用產(chǎn)品?! ‘斉c主電源軌串聯(lián)時(shí),STEF01可以防止過(guò)流和過(guò)壓損壞負載,電壓被限制在用戶(hù)使用外部電阻預設的最大電壓值以下,通過(guò)控制內部功率MOSFET,過(guò)大的電流被限制在預設的安全限值以下,當檢測到過(guò)流較強或短路時(shí),過(guò)流則降至下限?! TEF01利用意法半導體的BCD8高
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