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軟誤差率(SER)問(wèn)題是于上個(gè)世紀70年代后期作為一項存儲器數據課題而受到人們的廣泛關(guān)注的,當時(shí)DRAM開(kāi)始呈現出隨機故障的征兆。隨著(zhù)工藝幾何尺寸的不斷縮小,引起失調所需的臨界電荷的減少速度要比存儲單元中的電荷聚集區的減小速度快得多。這意味著(zhù): 當采用諸如90nm這樣的較小工藝幾何尺寸時(shí),軟誤差是一個(gè)更加值得關(guān)注的問(wèn)題,并需要采取進(jìn)一步的措施來(lái)確保軟誤差率被維持在一個(gè)可以接受的水平上?! ˇ亮? [ 查看詳細 ]
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